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微加工导论 Introduction to Microfabrication 目录 第一部分 绪论 第二部分 材料 第三部分 基本工艺 第四部分 结构 第五部分 集成 第六部分 设备 第七部分 制造 第八部分 未来趋势 MEMS概述 MEMS概念 MEMS意义 MEMS研究领域 MEMS应用 MEMS概念 MEMS－ Micro-electro-mechanical System 微电子机械系统（微型机电系统） IC ＋ 传感器 ＋ 执行器 晶体管、IC后的又一次革命 MEMS的意义 电子系统的瓶颈－－与外界的接口 IC技术已日臻完善－－CPU、RAM、 ASIC 运算、处理已不成问题 传感器(Sensor): 非电信号－电信号(输入) 执行器(Actuator): 电信号－非电信号(输出) MEMS研究领域 MEMS原理：传感器、执行器工作方式 MEMS工艺：材料制备、加工过程 MEMS设计：结构、版图、设计验证、 机电耦合 MEMS应用：应用系统开发 MEMS的应用 传感器：压力传感器、加速度计、微陀螺 微流量计、微型测量系统 执行器：微开关、微光偏转器、微马达、 微泵、微制冷器、 STM（扫描隧道显微镜）探头 微型系统：微型机器人 部分微机械系统图例 第一部分 绪论 第1章 概述 第2章 微测量和材料表征 第3章 微加工工艺模拟 第1章 概述 1.1 微加工学科分类 1.2 基片 1.3 材料 1.4 表面和界面 1.5 工艺 1.6 横向尺度 1.7 垂直尺寸 1.8 器件 1.9 金属氧化物半导体晶体管 1.10 净化和成品率 1.11 产业 1.1微加工学科分类 集成电路和相关产业，如微系统/微机电系统、太阳能电池、平板显示器和光电子等领域都依靠微加工技术 1.2 基片 基片可以有单晶、多晶或无定形态 微加工的主体：硅 硅在地壳中丰度为29.5% ，居第二位 硅的特点： 1 可以在较大范围内变化尺寸、形状和电阻率（0.001～20000Ω?cm） 2 光滑、平整，机械强度高（硬度可与钢媲美，在高温下比金属更好的保持它的弹性，缺点是易碎） 3 价格便宜 4 大部分微加工设备是从硅集成电路工艺中开发的 ，因此，硅晶圆片与 微加工设备是兼容的。 硅片尺寸： 2、3、4、5、6、8、12英寸 1.3 材料 类似基片，生长或沉积薄膜的形态可以是 A单晶 B多晶 C 非晶（无定形态） 在工艺过程中，在一定的 条件下，可实现形态的转变。 如单晶薄膜可以通过离子轰击变成非晶态；多晶态薄膜可以通过热处理晶粒生长获得；非晶态薄膜可以晶化转变为多晶态。 薄膜可以是 1 单元素薄膜（如硅、铝、铜和钨） 2 化合物薄膜（如氧化硅，氮化钛等，但不定是理想配比TiNx） 3 合金 薄膜沉积条件会强烈影响薄膜的性能，在低温下沉积的硅为非晶态，在中等温度下为多晶态，在高温和严格条件控制下为单晶态 1.4 表面和界面 薄膜与基片，以及薄膜之间的界面对结构的稳定性非常重要。如高温会使界面反应或扩散。 基片表面物理性能（如粗糙度和反射率）与材料和加工工艺有关。基片表面的化学特性极其重要，很多表面覆盖一层氧化膜。基片表面吸附的气体和潮气会通过改变黏附性或成核性能而影响工艺。 厚的基片并不能免于受薄膜的影响：一层几十纳米厚的薄膜可以产生很高的应力，使基片变形。 1.5工艺 微加工工艺包含如下4个基本内容 1 高温工艺 2 薄膜沉积工艺 3 图形化 4 层间转移和键合 1高温工艺 高温工艺改变掺杂原子硅中的分布，它们对晶体管的性能是至关重要的。高温工艺可以用计算机求解扩散方程的方式来进行模拟。微加工的高温区域为900℃以上，在该温度下掺杂物容易扩散。 低温工艺一般低于450 ℃，它可以使金属-硅界面保持稳定。在450 ℃和900℃之间是中等温度，适用于特殊材料和界面。 在硅集成电路行业中，高温区域也可称为前道工艺（Front-end-of the line ,FEOL），低温区域称为后道工艺（Back-end-of the line ,BEOL）。 2 薄膜沉积工艺