具有择优取向的GaN粉末的制备与性能研究-轻工学报-郑州轻工业学院.PDF

　　　　　　　 　２０１７年９月 第３２卷 第５期 　·４２· ＪＯＵＲＮＡＬＯＦＬＩＧＨＴＩＮＤＵＳＴＲＹ　Ｖｏｌ．３２Ｎｏ．５Ｓｅｐ．２０１７ 引用格式：康利平，王伶俐，王海燕，等．具有择优取向的ＧａＮ粉末的制备与性能研究［Ｊ］．轻 工学报，２０１７，３２（５）：４２－４８． 中图分类号：ＴＢ３４　　文献标识码：Ａ　　 ＤＯＩ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．２０９６－１５５３．２０１７．５．００６ 文章编号：２０９６－１５５３（２０１７）０５－００４２－０７ 具有择优取向的ＧａＮ粉末的制备与性能研究 Ｒｅｓｅａｒｃｈｏｎｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎａｎｄｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｏｆ Ｇａｌｌｉｕｍｎｉｔｒｉｄｅｐｏｗｄｅｒｗｉｔｈｐｒｅｆｅｒｒｅｄｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ 康利平，王伶俐，王海燕，张晓冬，王永强 ＫＡＮＧＬｉｐｉｎｇ，ＷＡＮＧＬｉｎｇｌｉ，ＷＡＮＧＨａｉｙａｎ，ＺＨＡＮＧＸｉａｏｄｏｎｇ， ＷＡＮＧＹｏｎｇｑｉａｎｇ 关键词： ＩＩＩ－Ｖ族半导体；ＧａＮ 郑州轻工业学院物理与电子工程学院，河南 郑州４５０００２ 粉末；择优取向；发光 ＣｏｌｌｅｇｅｏｆＰｈｙｓｉｃｓａｎｄＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＺｈｅｎｇｚｈｏｕＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＬｉｇｈｔＩｎｄｕｓｔｒｙ，Ｚｈｅｎｇｚｈｏｕ 性能；蓝移 ４５０００２，Ｃｈｉｎａ Ｋｅｙｗｏｒｄｓ： 摘要：采用管式炉通以流动氨气煅烧 ＧａＯ 的方法制备六方纤锌矿ＧａＮ，利用 β ２ ３ ＩＩＩＶｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ； ＸＲＤ，ＳＥＭ，ＴＥＭ对所制备的ＧａＮ的结构、形貌进行表征和分析，使用荧光光度 Ｇａｌｌｉｕｍｎｉｔｒｉｄｅ 计采集ＧａＮ的光致发光光谱进行发光性能研究．结果表明，ＧａＮ具有（００２）择 ｐｏｗｄｅｒ； ｐｒｅｆｅｒｒｅｄｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ； 优取向，其颗粒外形和尺寸均与原料相似，系由几十纳米的晶片团聚而成的棒 ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ ｐｅｒｆｏｒｍ 状颗粒所组成；ＧａＮ的近带边发射峰为３４６ｎｍ（３．５８４ｅＶ），相比较块材的近带 ａｎｃｅ；ｂｌｕｅｓｈｉｆｔ 边发射峰有１９ｎｍ（１８７ｍｅＶ）的蓝移． 　　收稿日期：２０１７－０３－０１ 基金项目：国家自然科学基金项目；郑州市科技局前沿科技研究与发展项目（１４１ＰＱＹＪＳ５５２）；郑州轻工业学院 校内科研基金项目（２０１３ＸＪＪ０１０） 作者简介：康利平（１９８０—），女，河南省安阳市人，郑州轻工业学院讲师，硕士，主要研究方向为功能材料与器件． 通信作者：王海燕（１９７９—），女，河南省开封市人，郑州轻工业学院副教授，博士，主要研究方向为发光材料与器件． 康利平，等：具有择优取向的ＧａＮ粉末的制备与性能研究 ·４３· Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＴｈｅｈｅｘａｇｏｎａｌｗｕｒｔｚｉｔｅＧａｌｌｉｕｍｎｉｔｒｉｄｅ（ＧａＮ）ｗａｓｐｒｅｐａｒｅｄｂｙｃａｌｃｉｎｉｎｇ ｇａｌｌｉｕｍｏｘｉｄｅ（ＧａＯ） β β ２ ３ ｉｎｆｌｏｗｉｎｇａｍｍｏｎｉａ．ＴｈｅＸＲＤ，ＳＥＭａｎｄＴＥＭｗｅｒｅｅｍｐｌｏｙｅｄｔｏｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｅｔｈｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅａｎｄｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙ． Ｔｈｅｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ（ＰＬ）ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙｗａｓｕｓｅｄｔｏｃｏｌｌｅｃｔｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙｏｆＧａＮｐｅｒｆｏｒｍ ｔｈｅｌｕｍｉｎｏｕｓｐｒｏｐｅｒ