磁场对于集成电路工艺微电子测试图分析的影响及其解决方法的研究电子与通信工程专业论文.docxVIP

摘 摘 要 可靠性物理是集成电路中必需而且重要的一门学科，根据器件的关键工艺参 数，对产品进行可靠试验，并作出可靠性评估，以调整对新产品可靠性设计，生 产中质量控制以及器件的正确使用，以最终提高器件的可靠性。现在集成电路工 艺发展迅速，从亚微米到深亚微米0．35um，0．18um，0．1 lum，90hm，65nm，45nm ． 在制造工艺的迅猛发展的同时，工艺的可靠性研究也越来越重要，越来越严格。 现在在生产过程中，充分利用微电子测试图技术研究；对专门设计的微电子测试 结构进行简单的电学测量或显微镜观察，提取有关生产工艺参数和单元器件或电 路的电参数，提高芯片良率。本研究分析发现外来磁场对SEM图像会产生扭曲变 化，进而带来测试值存在较大误差的影响。本论文在工艺和硬件上提出了解决方 案。工艺上，利用multi point的量测方法代替了原始的single point量测方 法，硬件上，设计建立了一个主动式反磁场系统平台的方案，利用感应器和控制 器发送到电流到框架产生不同向量的磁场，将周围的磁场完全逆向抵消掉，得到 一个接近于理想化的工作环境，提供了一个更加可靠之技术。此方案在最后磁场 和量测的结果上得到了验证，可以进而推广到其他SEM技术工具中。 关键词：磁场可靠性 中图分类号：TN3 AbstractReliability Abstract Reliability physics is integrated circuits essential and an important subject，depending on the device key process parameters，tel iable products and reliability testing，evaluations，to adjust to the new product reliability design，quality control in the production of，and the correct use of devices to improve the reliability of end devices．Now integrated circuit technology iS developing rapidly，from a submicron to deep submicron 0．35um，0．18um，0．1 lum，90nm，65nm 45nm，etc．in the manufacturing process of the fast—growing at the same time，the reliability of the process iS more and more important，more and more stringent．Now in production，making ful l use of techni cal research micro—electronic test chart：on specially designed microelectronias test structure simple electrical measurement or microscopy，to draw the production process parameters and single components or circuit electrical parameters，improving chip yield．ThiS research and analysis find magnetic field will cause image distortion，and then bring the large error of measurement data．The thesis proposes the solution in both technology and hardware．For technology，using multi point measurement method instead of the original single point measurement method，for hardware， design and build the anti—magnetic systems platform，using sensors and controllers to send the current to frame to build the different vector magnetic field，which will completely r