扩散原理及工艺培训.pptVIP

扩散 晶体和硅 晶体：晶体的重要特点是组成晶体的原子、分子、离子按一定规则周期排列着的。任一晶体都可以看成由微观粒子在三维空间按一定规则周期重复性排列所构成。晶体可以分为单晶体和多晶体。 晶格：晶体的周期性结构称为晶体格子，简称晶格。 单晶体：如果整个晶体是由单一的晶格连续组成，这种晶体称为单晶体。 多晶体：如果一个晶体是由相同结构的很多小晶粒无规则地堆积而成，成为多晶体。 半导体：电阻率介于金属和绝缘体之间并有负的电阻温度系数的物质。按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体 。 如硅和锗是最常见的元素半导体。元素半导体都是晶体。 半导体的特性： a)当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。 b)向纯净的半导体中掺入杂质，会使它的导电能力明显改变。 扩散就是向纯净的半导体中掺入杂质，以获得人们需要的导电性能。 硅 PN结 其实纯净的半导体硅是没有大的实用价值，只有通过对其掺入不同杂质，使其导电性能发生改变，从而获得人们所需的性能，半导体才有其真正的实用价值。 没有掺杂的半导体称为本征半导体，掺入杂质的半导体称为杂质半导体或非本征报导体。 通常掺杂都是掺入三族或五族元素，使其成为P（positive）型或N（negative）型半导体。 P型半导体：向本征半导体中掺入硼等三族元素，使载流子主要为导电空穴的半导体。 N型半导体：向本征半导体中掺入磷等五族元素，使载流子主要为自由电子的半导体。 太阳能电池的心脏是一个PN结，需要强调的是， PN结不是简单地将两块不同类型的半导体连接在一起。要制造一个PN结，必须使一块完整的晶体硅的一部分是P型区域，另一部分是N区域，也就是在晶体内实现P型和N型半导体的接触。我们制造PN结，实质上是想办法使P型杂质在半导体晶体内部的一个区域占优势，而使N型杂质在半导体内部的另一个区域占优势，这样就在一块完整的半导体体硅中实现了P型和N型半导体的接触。 我们用的硅片都是P型衬底的硅片，扩散是向硅片表面内掺入五族元素磷，使其在衬底和扩散面接触处形成PN结。 太阳电池工作原理 太阳电池的工作原理是半导体的光电效应。 光电效应：在光的照射下，使物体中的电子逸出的现象叫做光电效应(Photoelectric effect)。 金属材料发射的光电子数和照射发光强度成正比。 仅当照射物体的光频率不小于某个确定值时，物体才能发出光电子，这个频率叫做极限频率(或叫做截止频率)，相应的波长λ。 太阳电池的工作过程 吸收光子，产生电子空穴对 电子空穴对被内建电场分离，在PN结两端产生电势 将PN结用导线连接，形成电流 在太阳电池两端连接负载，实现了将光能向电能的转换 PN结的作用及太阳能电池工作原理 当适当波长的光照射到半导体系统上，系统吸收光能后在两端产生电动势，这种现象称为光生伏特效应。当光照在由P型N型两种导电类型的半导体材料构成的PN结上，在一定的条件下，光能被半导体吸收后，产生了非平衡载流子—电子和空穴。由于PN结在势垒区存在较强的内建电场，因而产生在势垒区中的非平衡载流子电子和空穴，或产生在势垒区外但扩散进势垒区的非平衡电子空穴对，在内建电场的作用下，各自相反方向运动，离开势垒区，结果使P区电势升高，N区电势降低。PN结两端产生光生电动势，由于光照产生的非平衡载流子各向相反的方向漂移，从而在内部构成自N区流向P区的光生电流，如果将外电路与PN结连通，只要光照不停止就会不断有电流流过电路，PN结起了电源的作用，这就是太阳电池的原理。 扩散和扩散工艺控制 扩散是微观粒子（原子、分子等）的一种极为普遍的热运动形式，运动的结果使浓度分布趋于均匀。半导体行业中的扩散工艺，简称扩散，是将一定数量的某种杂质掺入到硅晶体中或其他半导体晶体中去，以改变电学性质，并使掺入的杂质数量、分布形式和浓度等满足要求。 间隙式扩散：存在于晶格间隙的杂质称为间隙式杂质。间隙式杂质从一个间隙位置到另一个间隙位置的运动称为间隙式扩散。主要是那些半径较小、且不容易和硅原子键合的原子 替位式扩散：占据晶格位置的外来原子称为替位式杂质。替位式杂质从一个晶格位置到另一个晶格位置称为替位式扩散。 扩散与扩散的分布 扩散的方式主要有两种：恒定表面扩散和有限表面扩散。 扩散的步骤：第一步扩散源由载气到达气相—固相界面面，杂质由气相—固相界面由扩散运动进入到二氧化硅层（事先进行了二氧化硅生长）；第二步当杂质运动到硅—二氧化硅界面时，再由扩散运动扩散到硅中。 为了同时满足表面浓度、杂质数量和结深等方面的要求，实际生产中采用的扩散方法是上述的两步扩散，其中第一步成为预扩