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晶体三极管 晶体管之所以能实现电流放大作用，既有内部条件——制造时使基区很薄且杂质浓度远低于发射区等，又要有外部条件——发射结正向偏置、集电结反向偏置，两者缺一不可。 晶体管在共发射极接法时，基极、集电极的电流和电压如图所示。此时基极是输入端，基极电流为iB，基极和发射极之间的电压为uBE；集电极是输出端，集电极电流为iC ，集电极和发射极之间的电压为uCE。 共发射极输入特性曲线是指以uCE为参变量时，iB和uBE之间的关系，即 输入特性 四种理想受控电源的模型 N沟道耗尽型绝缘栅场效应管 总目录 章目录 返回 前一页 后一页 稳压二极管 半导体二极管和稳压管都是一个PN结构成的半导体器件，它们的正向特性很相似，主要区别是： 二极管不允许反向击穿，一旦击穿会造成永久性损坏； 稳压管是一种特殊的半导体二极管，正常工作在反向击穿状态，在外加反向电压撤除后，能恢复单向导电性。 稳压管反向击穿后的特性曲线比较陡直，即反向电压基本不随反向电流变化而变化，正是利用这一反向特性进行稳压。 特点:非线性 死区(导通)电压:硅管取0.5V，锗管取0.1V。 iB(?A) uBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V O ??注意:发射结开始导通的电压UBE：0.5V~0.7V(硅管)，0.1~0.3V(锗管 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 iC(mA ) 1 2 3 4 uCE(V) 9 12 O 放大区 输出特性曲线可分三个工作区： (1) 放大区 在这个区域中iC几乎不随uCE变化，对应于每一个IB值的特性曲线都几乎与水平轴平行，因此该区域称为线性区或放大区。 共发射极输出特性曲线是指以iB为参变量时，iC和uCE之间的关系，即 在放大区，发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大状态。 当UCE? UBE时，晶体管工作于饱和状态。 在饱和区，发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。 。 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O （2）截止区 IB 0 以下区域为截止区，有 IC ? 0 。 在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态。 饱和区 截止区 （3）饱和区 ?U1 + _ U1 U2 (a)VCVS + - + - 电压控制电压源 I1 ? I1 (c)CCVS + _ U1=0 U2 + - + - 电流控制电压源 (b) VCCS gU1 U1 U2 I2 + - + - 电压控制电流源 (d) CCCS ? I1 U1=0 U2 I2 I1 + - + - 电流控制电流源 G S D 符号： 漏极D 金属电极 栅极G 源极S SiO2绝缘层 P型硅衬底 高掺杂N区 N沟道增强型绝缘栅场效应管 EG P型硅衬底 N+ N+ G S D + – UGS ED + – 当UGS 0 时，P型衬底中的电子受到电场力的吸引到达表层 N型导电沟道 在漏极电源的作用下将产生漏极电流ID，管子导通。 当UGS UGS（th）时，将出现N型导电沟道，将D-S连接起来。UGS愈高，导电沟道愈宽。 N沟道增强型管的工作原理 G S D 符号： 如果MOS管在制造时导电沟道就已形成，称为耗尽型场效应管。 SiO2绝缘层中 掺有正离子 N型 导电沟道 总目录 章目录 返回 前一页 后一页 * *