低电压驱动发光管碳纳米管薄膜冷阴极研制凝聚态物理专业论文.docxVIP

摘要效发射址密度提高一个数量级。并指出大电流处理技术的工作原理是利用冷阴极表 摘要 效发射址密度提高一个数量级。并指出大电流处理技术的工作原理是利用冷阴极表 面上那些特别高的少数碳纳米管在大电流下最容易发生真空击穿，被烧断或者烧毁 而被除去，因而剩下的碳纳米管高度比较一致，更多的碳纳米管参与发射，从而提 高碳纳米管薄膜冷阴极的场致电子发射均匀性。而且，大电流处理后，通过减小栅 极和阴极之间的距离可以降低圆柱型发光管的开启电压和工作电压(开启电压和工 作电压分别定义为10 gA／cm2和7．5 mA／cm2的阴极电流密度所分别对应的栅极电 压)，从而降低发光管的驱动电压(定义为开启电压和工作电压之差)。处理后，发 光管典型的开启电压、工作电压和驱动电压分别为200 V、400 V和200 V。 4．研究了碳纳米管薄膜冷阴极的真空击穿，发现碳纳米管薄膜的真空击穿与金 属阴极的真空击穿方式不同，并通过理论计算研究了这一现象。碳纳米管薄膜的真 空击穿存在一个临界的电流密度，同时对应着一个临界的碳纳米管高度。对于我们 所制备的柱形发光管的碳纳米管薄膜冷阴极而言，临界的电流密度为50 mA／cm2， 相应的临界的碳纳米管高度约为30 p,m。当发射电流密度低于这个临界电流密度值 或者碳纳米管的高度大于这个临界高度值的时候，只有那些高度最高的碳纳米管发 生真空击穿。当发射电流密度高于临界电流密度值或者碳纳米管的高度小于临界高 度值的时候，碳纳米管薄膜的真空击穿与金属阴极的相似，发生微电弧放电击穿， 导致碳纳米管薄膜被大面积破坏。理论模拟计算表明，发射电流引起的焦耳热在其 中起了重要的作用。当碳纳米管的高度大于临界高度值的时候，碳纳米管的顶部区 域出现热失稳而发生真空击穿。当碳纳米管的高度小于临界高度值的时候，碳纳米 管与衬底之间的接触电阻发热引起的温度达到衬底的熔点，使碳纳米管薄膜发生由 阴极启动的真空击穿。 5．研制了对碳纳米管薄膜冷阴极进行氢气等离子体处理的设施，并利用该设施 研究了氢气等离子体处理对碳纳米管薄膜冷阴极场致电子发射特性的影响。该设施 集成了大电流处理技术，可以在大电流处理后马上进行直流反常辉光放电，产生氢 气等离子体。研究发现单纯的氢吸附对碳纳米管薄膜场致电子发射电流一电压特性 的影响不大，但可以保护碳纳米管，阻挡氧气、空气等其他气体对碳纳米管薄膜冷 阴极的损害。并对其中的物理机制进行了讨论。 关键词：发光管，碳纳米管薄膜，场致电子发射，真空击穿，氢气等离子体 Ⅱ 摘要Development 摘要 Development of Low Voltage Driven Carbon Nanotube Film Cathode for Luminescent Tubes Major： Condensed Matters Physics Name：Xihui Liang Supervisor： Ningsheng Xu，Professor ABSTRACT Luminescent tubes using carbon nanotube(CNT)film cathode have attracted considerable attention for their potential applications in many fields such as ultra—large screen display In this Ph．D．dissertation，we first review the field emission theories， experimental techniques and the progress in the research of CNTs．Then we focus our research work on the synthesis，field emission properties，two post—treatment technologies and their mechanism of CNT film cathode for luminescent tubes．Two post·treatment technologies have been introduced，i．e．，large current treatment and hydrogen plasma treatment．Main work and findings of the dissertation are listed as follows． 1．Randomly aligned CNT films have been synthesized on stainless steel substrate by u