第二章光电探测器1..ppt

噪声的相关性 噪声在不同时刻的取值是随机的，两个不同噪声仍然存在一定的关系。 不相关的噪声源 相关时引入相关系数 在大多数情况下，探测器和探测系统中各个噪声源基本是彼此独立的 三、光电探测器噪声 在光电探测器中固有噪声主要有： ●热噪声 ●散粒噪声 ●产生－复合噪声(g－r噪声) ●温度噪声 ● 噪声。 * 1.热噪声 1）产生原因 热噪声是由耗散元件中电荷载流子的随机热运动引起的。任何一个处于热平衡条件下的电阻，即使没有外加电压，也都有一定量的噪声。 AB两极间的电阻为R，在绝对温度T时，体内的电子处于不断的热运动中，是一团毫无秩序可言的电子运动。 * A B S 从时间平均来说，这两种方向的电子数一定相等，不会有电流通过AB。但是如果考虑流过S面的电子数的均方偏差，这样在AB两端就应出现一电压涨落。 2）度量 这一电压涨落直到1928年才为琼斯(Johnson)的实验所证实。同时奈奎斯持(Nyquist)推导出热噪声功率为： 式中k为玻尔兹曼常量， 为测量带宽。 如用噪声电流表示则为 * 通常也用热噪声电流(电压)均方根值来进行计算： 热噪声属于白噪声频谱，一般说来，高端极限频率为： fH＝0．15kT×1013Hz 在室温下(T＝290k)， fH＝6×1012Hz，一般电子学系统工作频率远低于该值，故可认为热噪声为白噪声频谱。 * 例如：室温条件下R＝1kΩ的电阻，在 ＝1Hz带宽内的均方根热噪声电压值约为4nV； 若工作带宽为500kHz的系统，放大器增益为104，则在放大器输出端的热噪声均方根电压约28mV。 在微弱信号探测中，是一个不可忽视的量。 ？如何减小热噪声——光电探测系统的一个重要问题 1）热噪声功率与探测器工作温度T的有关——制冷。特别是对一些红外探测器。 2）同时在满足信号不失真的条件下，尽量缩短工作频带。 * 2．散粒噪声 1）产生原因 探测器的散粒噪声是由于探测器在光辐射作用或热激发下，光电子或光生载流子的随机产生所造成的。由于随机起伏是一个一个的带电粒子或电子引起的，所以称为散粒噪声。 存在于光电子发射器件、光生伏特器件。 电子管中任一短时间τ内发射出来的电子决不会总是等于平均数，而是围绕这一平均数有一涨落。 * 2）度量 以电子管为例，电子管阴极任一短时间内发射出来的电子绝不会总是等于平均数，而是围绕这一平均数有一涨落。从涨落的均方偏差可求出散粒噪声功率为： 式中e为电子电荷， 为探测器工作带宽。 在无光照时的暗电流噪声功率为： 对于由光场作用的光辐射散粒噪声： 式中IP为光辐射场作用于探测器产生的平均光电流。 3）特性 散粒噪声也是白噪声，与频率无关， 热噪声起源于热平衡条件下电子的粒子性，因而依赖于kT，而散粒噪声直接起源于电子的粒子性，因而与e直接有关。 * 3．产生—复合噪声 1）产生原因 半导体中由于载流子产生与复合的随机性而引起的平均载流子浓度的起伏所产生的噪声称为产生—复合噪声，亦称g-r噪声(generation—recombination noise)。 g-r噪声主要存在于光电导探测器中。 g-r噪声与前面介绍的散粒噪声本质是相同的，都是由于载流子数随机变化所致，所以有时也把这种载流子产生和复合的随机起伏引起的噪声归并为散粒噪声。 * 2）度量 除了考虑载流子由于吸收光受到激发产生的载流子数的随机起伏外，还要考虑到载流子在运动过程个复合的随机性。经理论推导g—r噪声的表达式为： 式中，e为电子电荷， 为平均电流， 为探测器的工作带宽， 为光电导探测器的内增益，它是载流子平均寿命τ0和渡 越时间τd的比值。 * 4．温度噪声 1）产生原因 热探测器通过热导G与处于恒定温度的周围环境交换热能。在无辐射存在时，尽管热探测器处于某一平均温度T0，但实际上热探测器在T0附近呈现一个小的起伏，这种温度起伏引起的热探测器输出起伏称为温度噪声。 2）度量 理论推导，热探测器由于温度起伏引起的温度噪声功率为： 温度噪声功率与热导成正比，与探测器工作温度的平方成正比。 温度噪声主要存在于热探测器中。它最终限制了热探测器所探测的最小辐射能量。 * 5．电流噪声( 噪声) 目前对1／f噪声的成因尚未完全清楚，但通常认为它是由半导体的表面电流所引起的故又称为电流噪声。 特点是噪声功率谱密度与频率成反比。电流噪声的均方值可用经验公式表示为： 式中k1为比例系数，与探测器制造工艺、电极接触情况、半导体表面状态及器件尺寸有关；a为与材料有关的常数，通常在0.8——1.3之间，大多数材料可近似取为1；b与流过器件的电流I有关，通常取值2