纳米科技导论-10-纳米技术应用集景之三-修改..pptVIP

模版刻蚀完成后，需要放入piranha （H2SO4：H2O2 = 2:1）溶液中清洗，并用去离子水清洗，吹干，储存在干燥的环境中等待下一步防粘工艺。 图 13 利用E-beam制作的光栅模版SEM B、模版的防粘处理 采用湿法防粘工艺，使用的自组装分子层材料为全氟癸基三氯硅烷（1H,1H,2H,2H fluorodecyltrichlor osilane），防粘处理的工艺过程是： 将模版放入H2SO4：H2O2 = 2:1的溶液中清洗，并用去离子水清洗，吹干，储存在干燥的环境中。 将模版浸入含0.6 mmol/mL的 FDTS的异辛烷溶液中10分钟。 将模版取出后迅速放入异辛烷中冲洗干净，最后用丙酮和异丙醇清洗并吹干，储存在干燥环境中。 必须注意的是，因为FDTS化学物质会与水发生反应，生成极其难以去掉的反应物，所以整个防粘处理过程需要在完全无水的环境中完成，不然会对模版造成致命的损坏。 C、SFIL制作二次模版 图14 利用软模版技术和二次模版技术压印的整体过程 首先利用E-Beam制作小面积模版，再利用SFIL技术通过多次复制制作大面积二次母版，然后利用热压印将母版上的图形转移到软模版，最后通过软模版将图形通过紫外压印转移到最终的晶片上。 二次模版技术是将一个小面积的模版经过多次复制，形成一个大面积的图形阵列，并用这个图形阵列制作大面积模版。如可将把一个用上述E-Beam方法制作的10mm×10mm的石英模版经过9次复制而形成一个30mm×30mm的大面积Si模版。 制作时可使用Imprio 100 SFIL压印机。为保证平整性，一片双面抛光的Si晶片被用作大面积模版的材料。在压印工作之前，将一层缓冲层材料旋涂到Si片上并在160℃热板上烘烤60秒，形成一层60nm的转移层，转移层在这里有两个作用：首先，它能够增强衬底与压印胶之间的粘性，使脱模的过程更加顺利，另外，它能够使表面更加平整，提高压印的质量。 在石英模版和晶片被调整到完全平行后，模版开始缓慢下移并与晶片紧密接触， 压印胶被滴在两者之间，精确控制滴胶的体积和形状使压印胶能够完全填充模版与晶片之间的形状。然后向模版施压，保持其压在晶片上60秒，待压印胶填充完成后，利用紫外曝光30秒使其固化。 紫外曝光后，石英模版被拉起来脱模并准备进行下一次压印。这个压印过程重复了9次，形成一个3×3的阵列，为保证阵列中压印制作的各个图形块不会重叠，每两个相邻图形块之间的间隔为2mm。重复这些图形块以形成阵列的过程由Imprio 100上的x-y对准控制系统完成。、 压印完成后，先用O2 RIE去除SFIL的底胶和转移层，露出刻蚀Si的窗口，最后按照之前所说的Si刻蚀工艺将图形转移到大面积模版上。 D、热压印制作软模版 热压制作软模版的步骤不需要匀胶的过程，只用将软模版材料放置在母版上，再用密封塑料片覆盖住两者形成气室，并开始压印工艺。压印曲线如图 15所示。软模版制作完成后，将其储存在干燥、洁净的环境中，等待将它上面的图形转移到最终激光器外延片上的紫外压印工艺。 图 15 热压制作软模版工艺的压印曲线 2、DFB光栅的压印制作与测试 A、光栅的压印制作 用压印制作的DFB激光器的外延片结构如图 16所示。 图 16 DFB激光器结构:(a)外延结构；（b）3D视图 （a） (b) 由一片n-InP衬底经MOCVD生长而成。包括一层缓冲层、处于两层保护层之间的量子阱层，一层包覆层，一层刻蚀阻挡层，在刻蚀阻挡层上是在包覆层与接触层之间的光栅材料层。光栅制作在光栅材料层上，图 16（b）是DFB激光器芯片全部制作工艺完成后的三维视图。 利用紫外压印将软模版上的图形转移到压印胶的制作中使用的温度与压力分别为80℃与20Bar，初始匀胶厚度为200nm。因为外延片本身就非常的干净，因此不需要进行清洗就可以匀上压印胶，匀胶参数为4000转/分钟，匀胶后，将晶片放置在95℃的热板上烘烤2分钟以去除压印胶中的溶剂，然后将其放入压印机中，将软模版放置在被压印外延片上，需要注意的是，软模版上光栅的方向必须对准外延片的晶向，然后用密封塑料片覆盖住两者形成气室，并开始压印工艺。使用的压印曲线如图 17所示： 图 17 软模版紫外压印曲线 经过软模版压印后，晶片表面压印胶的光栅图形在显微镜下如图18所示: 图 18 显微镜下压印胶的图案 由图可见，压印图形在大面积下有高质量、高均匀性。与图11进行比较，可见压印制作的光栅的布局与模版设计一致，说明压印工艺成功的将设计的光栅图形转移到了外延片上。 压印完成后，利用O2等离子将