变掺杂gaas光电阴极特性及评估研究电子科学与技术专业论文.docxVIP

洲Y 洲Y i1 ㈣9 mm叶●I Ⅲ9洲6 9 Ⅲ2 Ph．D．Dissertation ，弋1 n L11aracteristlc and evaluation 0t varied doping GaAs photocathode Supervised by Pr吐Chang Benkang Nanj ing University of ScienceTechnology May,2011 声 声 明 本学位论文是我在导师的指导下取得的研究成果，尽我所知，在 本学位论文中，除了加以标注和致谢的部分外，不包含其他人已经发 表或公布过的研究成果，也不包含我为获得任何教育机构的学位或学 历而使用过的材料。与我一同工作的同事对本学位论文做出的贡献均 已在论文中作了明确的说明。 研究生签名： 年月 日 学位论文使用授权声明 南京理工大学有权保存本学位论文的电子和纸质文档，可以借阅 或上网公布本学位论文的部分或全部内容，可以向有关部门或机构送 交并授权其保存、借阅或上网公布本学位论文的部分或全部内容。对 于保密论文，按保密的有关规定和程序处理。 研究生签名： 年 月 日 博士论文 博士论文 变掺杂GaAs光电阴极特性及评估研究 摘 要 为了更深入地研究和发展变掺杂GaAs光电阴极的相关理论与技术，探索我国 高性能三代微光像增强器的发展途径，本文在变掺杂GaAs光电阴极的光电特性、 制备实验和性能评估等方面进行了相关的研究。 针对变掺杂GaAs光电阴极光电发射特性中的基础理论问题，采用理论推导、 数字仿真和模拟计算的方法，研究了指数掺杂GaAs光电阴极电子扩散漂移长度的 理论表达式，建立了电子扩散漂移长度LDE同指数掺杂系数彳和均匀掺杂情况下材 料的电子扩散长度易之间的数值计算关系。研究了指数掺杂GaAs光电阴极量子效 率的等效求解方法，简化了求解过程。研究了变掺杂结构对阴极电子发射性能的影 响机理，发现变掺杂阴极内建电场的存在，不仅能够提高光电子到达阴极表面的数 量，同时还使表面电子的能量分布向高能端偏移，从而使电子的逸出几率得到提高。 根据变掺杂GaAs光电阴极的理论研究结果，针对变掺杂技术实用性的问题， 采用实验验证的方法，研究了变掺杂GaAs光电阴极电子扩散漂移长度理论表达式 的正确性，发现计算结果同实验结果具有很好的一致性。研究了变掺杂技术应用于 透射式GaAs光电阴极的可行性，发现阴极组件制备过程不会破坏阴极的变掺杂结 构，而且变掺杂的透射式GaAs光电阴极具有较高的光谱积分灵敏度。研究了激活 时系统真空度对MBE变掺杂GaAs光电阴极低温激活效果的影响，发现当系统真 空度达到1×10谓Pa以上时，能够使低温激活灵敏度比高温提高30％以上。 在实验基础上，针对变掺杂GaAs光电阴极评估技术不完备的问题，采用理论 分析和数学建模的方法，研究了激活过程中Cs在阴极表面的吸附效率，实现了对 不同表面掺杂浓度的GaAs阴极材料在不同系统真空度条件下激活时，Cs在阴极表 面吸附效率的理论评估。研究了Cs—O激活后NEA GaAs光电阴极表面势垒的评估 技术，提出了利用激活中不同阶段阴极光电流的峰值比求解NEA表面势垒参数的 方法。对阴极高、低温激活后的NEA表面势垒参数进行了评估，揭示了“高一低 温两步激活过程中阴极表面势垒的变化特点。研究了变掺杂GaAs光电阴极结构 性能的评价方法，建立了变掺杂GaAs光电阴极量子效率理论模型，并实现了对阴 极结构性能的客观评价。对两种不同变掺杂GaAs光电阴极的结构性能进行了评估， 发现了阴极发射层结构设计中存在的缺陷，为指导阴极结构的优化设计提供了有效 的分析手段。 关键词： GaAs光电阴极变掺杂量子效率光电特性制备 评估 博七论文 博七论文 变掺杂GaAs光电阴极特性及评估研究 Abstract In order to study and develope the theory and technology of varied doping GaAs photocathodes in depth，and explore a development route of national high porformance third generation LLL image intensifier,the photoelectric characteristic，preparation experiment，and performance evaluation of v