网站大量收购独家精品文档,联系QQ:2885784924

变掺杂gaas光电阴极特性及评估研究电子科学与技术专业论文.docxVIP

变掺杂gaas光电阴极特性及评估研究电子科学与技术专业论文.docx

  1. 1、本文档共124页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  5. 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  6. 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  7. 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  8. 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
变掺杂gaas光电阴极特性及评估研究电子科学与技术专业论文

洲Y 洲Y i1 ㈣9 mm叶●I Ⅲ9洲6 9 Ⅲ2 Ph.D.Dissertation ,弋1 n L11aracteristlc and evaluation 0t varied doping GaAs photocathode Supervised by Pr吐Chang Benkang Nanj ing University of ScienceTechnology May,2011 声 声 明 本学位论文是我在导师的指导下取得的研究成果,尽我所知,在 本学位论文中,除了加以标注和致谢的部分外,不包含其他人已经发 表或公布过的研究成果,也不包含我为获得任何教育机构的学位或学 历而使用过的材料。与我一同工作的同事对本学位论文做出的贡献均 已在论文中作了明确的说明。 研究生签名: 年月 日 学位论文使用授权声明 南京理工大学有权保存本学位论文的电子和纸质文档,可以借阅 或上网公布本学位论文的部分或全部内容,可以向有关部门或机构送 交并授权其保存、借阅或上网公布本学位论文的部分或全部内容。对 于保密论文,按保密的有关规定和程序处理。 研究生签名: 年 月 日 博士论文 博士论文 变掺杂GaAs光电阴极特性及评估研究 摘 要 为了更深入地研究和发展变掺杂GaAs光电阴极的相关理论与技术,探索我国 高性能三代微光像增强器的发展途径,本文在变掺杂GaAs光电阴极的光电特性、 制备实验和性能评估等方面进行了相关的研究。 针对变掺杂GaAs光电阴极光电发射特性中的基础理论问题,采用理论推导、 数字仿真和模拟计算的方法,研究了指数掺杂GaAs光电阴极电子扩散漂移长度的 理论表达式,建立了电子扩散漂移长度LDE同指数掺杂系数彳和均匀掺杂情况下材 料的电子扩散长度易之间的数值计算关系。研究了指数掺杂GaAs光电阴极量子效 率的等效求解方法,简化了求解过程。研究了变掺杂结构对阴极电子发射性能的影 响机理,发现变掺杂阴极内建电场的存在,不仅能够提高光电子到达阴极表面的数 量,同时还使表面电子的能量分布向高能端偏移,从而使电子的逸出几率得到提高。 根据变掺杂GaAs光电阴极的理论研究结果,针对变掺杂技术实用性的问题, 采用实验验证的方法,研究了变掺杂GaAs光电阴极电子扩散漂移长度理论表达式 的正确性,发现计算结果同实验结果具有很好的一致性。研究了变掺杂技术应用于 透射式GaAs光电阴极的可行性,发现阴极组件制备过程不会破坏阴极的变掺杂结 构,而且变掺杂的透射式GaAs光电阴极具有较高的光谱积分灵敏度。研究了激活 时系统真空度对MBE变掺杂GaAs光电阴极低温激活效果的影响,发现当系统真 空度达到1×10谓Pa以上时,能够使低温激活灵敏度比高温提高30%以上。 在实验基础上,针对变掺杂GaAs光电阴极评估技术不完备的问题,采用理论 分析和数学建模的方法,研究了激活过程中Cs在阴极表面的吸附效率,实现了对 不同表面掺杂浓度的GaAs阴极材料在不同系统真空度条件下激活时,Cs在阴极表 面吸附效率的理论评估。研究了Cs—O激活后NEA GaAs光电阴极表面势垒的评估 技术,提出了利用激活中不同阶段阴极光电流的峰值比求解NEA表面势垒参数的 方法。对阴极高、低温激活后的NEA表面势垒参数进行了评估,揭示了“高一低 温两步激活过程中阴极表面势垒的变化特点。研究了变掺杂GaAs光电阴极结构 性能的评价方法,建立了变掺杂GaAs光电阴极量子效率理论模型,并实现了对阴 极结构性能的客观评价。对两种不同变掺杂GaAs光电阴极的结构性能进行了评估, 发现了阴极发射层结构设计中存在的缺陷,为指导阴极结构的优化设计提供了有效 的分析手段。 关键词: GaAs光电阴极变掺杂量子效率光电特性制备 评估 博七论文 博七论文 变掺杂GaAs光电阴极特性及评估研究 Abstract In order to study and develope the theory and technology of varied doping GaAs photocathodes in depth,and explore a development route of national high porformance third generation LLL image intensifier,the photoelectric characteristic,preparation experiment,and performance evaluation of v

您可能关注的文档

文档评论(0)

131****9843 + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档