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变掺杂gaas光电阴极特性及评估研究电子科学与技术专业论文
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Ph.D.Dissertation
,弋1 n
L11aracteristlc and evaluation 0t varied
doping GaAs photocathode
Supervised by Pr吐Chang Benkang
Nanj ing University of ScienceTechnology
May,2011
声
声 明
本学位论文是我在导师的指导下取得的研究成果,尽我所知,在 本学位论文中,除了加以标注和致谢的部分外,不包含其他人已经发 表或公布过的研究成果,也不包含我为获得任何教育机构的学位或学 历而使用过的材料。与我一同工作的同事对本学位论文做出的贡献均 已在论文中作了明确的说明。
研究生签名: 年月 日
学位论文使用授权声明
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研究生签名: 年 月 日
博士论文
博士论文 变掺杂GaAs光电阴极特性及评估研究
摘 要
为了更深入地研究和发展变掺杂GaAs光电阴极的相关理论与技术,探索我国 高性能三代微光像增强器的发展途径,本文在变掺杂GaAs光电阴极的光电特性、 制备实验和性能评估等方面进行了相关的研究。
针对变掺杂GaAs光电阴极光电发射特性中的基础理论问题,采用理论推导、 数字仿真和模拟计算的方法,研究了指数掺杂GaAs光电阴极电子扩散漂移长度的 理论表达式,建立了电子扩散漂移长度LDE同指数掺杂系数彳和均匀掺杂情况下材 料的电子扩散长度易之间的数值计算关系。研究了指数掺杂GaAs光电阴极量子效 率的等效求解方法,简化了求解过程。研究了变掺杂结构对阴极电子发射性能的影 响机理,发现变掺杂阴极内建电场的存在,不仅能够提高光电子到达阴极表面的数 量,同时还使表面电子的能量分布向高能端偏移,从而使电子的逸出几率得到提高。
根据变掺杂GaAs光电阴极的理论研究结果,针对变掺杂技术实用性的问题, 采用实验验证的方法,研究了变掺杂GaAs光电阴极电子扩散漂移长度理论表达式 的正确性,发现计算结果同实验结果具有很好的一致性。研究了变掺杂技术应用于 透射式GaAs光电阴极的可行性,发现阴极组件制备过程不会破坏阴极的变掺杂结 构,而且变掺杂的透射式GaAs光电阴极具有较高的光谱积分灵敏度。研究了激活 时系统真空度对MBE变掺杂GaAs光电阴极低温激活效果的影响,发现当系统真 空度达到1×10谓Pa以上时,能够使低温激活灵敏度比高温提高30%以上。
在实验基础上,针对变掺杂GaAs光电阴极评估技术不完备的问题,采用理论 分析和数学建模的方法,研究了激活过程中Cs在阴极表面的吸附效率,实现了对 不同表面掺杂浓度的GaAs阴极材料在不同系统真空度条件下激活时,Cs在阴极表 面吸附效率的理论评估。研究了Cs—O激活后NEA GaAs光电阴极表面势垒的评估 技术,提出了利用激活中不同阶段阴极光电流的峰值比求解NEA表面势垒参数的 方法。对阴极高、低温激活后的NEA表面势垒参数进行了评估,揭示了“高一低 温两步激活过程中阴极表面势垒的变化特点。研究了变掺杂GaAs光电阴极结构 性能的评价方法,建立了变掺杂GaAs光电阴极量子效率理论模型,并实现了对阴 极结构性能的客观评价。对两种不同变掺杂GaAs光电阴极的结构性能进行了评估, 发现了阴极发射层结构设计中存在的缺陷,为指导阴极结构的优化设计提供了有效 的分析手段。
关键词: GaAs光电阴极变掺杂量子效率光电特性制备 评估
博七论文
博七论文 变掺杂GaAs光电阴极特性及评估研究
Abstract
In order to study and develope the theory and technology of varied doping GaAs photocathodes in depth,and explore a development route of national high porformance third generation LLL image intensifier,the photoelectric characteristic,preparation experiment,and performance evaluation of v
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