能态密度和费米面..ppt

晶体中电子状态的基本认识 §4-7能态密度和费米面一、能态密度函数 一、能态密度函数 一、能态密度函数 一、能态密度函数 关于能态密度的计算 例一、自由电子能态密度Ｎ(E) 例一、自由电子能态密度Ｎ(E) 近自由电子近似的等能面 近自由电子能态密度Ｎ(E) 近自由电子能态密度Ｎ(E) 近自由电子能态密度Ｎ(E) 例二 例二 例二 例三 例三 紧束缚近似等能面 例三 例三 例三 二、费米面 费米面定义 费米面 关于“费米面” 费米面的重要性在于金属的物理性质由费米面的形状确定 金属的功函数与接触电势差 例：自由电子费米能级EF 自由电子费米能级EF 自由电子的费米面 电子在晶体中按能级是如何排布的呢？ 三、晶体能带的填充情况 第一种情况：只有满带与空带——图示 晶体能带的填充情况 例一、碱金属是电子填充情况 例一、碱金属是电子填充情况 例二、IIA族二价碱土金属 例二、IIA族二价碱土金属 例三、半金属 例三、半金属 例四、四价的碳，硅，锗，锡等 例四、四价的碳，硅，锗，锡等 例四、四价的碳，硅，锗，锡等 四、X射线发射谱介绍 四、X射线发射谱介绍 电子是费密子，它的排布原则有以下两条： （1） 服从泡里不相容原理 排满电子的能带称为满带； 排了电子但未排满的称为未满带（或导带）； 未排电子的称为空带； （有时也称为导带）； 两个能带之间的禁带是不能排电子的。 （2） 服从能量最小原理 导体和绝缘体 （conductor insulator） 它们的导电性能不同， 是因为它们的能带结构不同。 晶体按导电性能的高低可以分为 导体 半导体 绝缘体 第一种情况：只有满带和空带 电子恰好填满最低的一系列能带，再高的各带全部是空的。 最高的满带——价带；最低的空带——导带（此时导带为空带） ； 价带最高能级（价带顶）与导带最低能级（导带底）之间的能量范围——带隙。 带隙宽度大(约10eV)——绝缘体； 带隙宽度小(约1eV)——半导体。 电子填充状态 未被电子填充状态 半 导 体 绝 缘 体 除去完全被电子充满的一系列能带（即满带）外，还有只是部分被电子填充的能带(即未满带)，常被称为导带（此时，导带为不满带）。 第二种情况：除满带和空带，还存在未满带 电子填充状态 未被电子填充状态 导体 导体 导体 半导体 绝缘体 ?Eg ?Eg ?Eg 在外电场的作用下，大量共有化电子很 易获得能量，集体定向流动形成电流。 从能级图上来看，是因为其共有化电子 很易从低能级跃迁到高能级上去。 E 导体 从能级图上来看，是因为满带与空带之间 有一个较宽的禁带（?Eg 约3～6 eV）， 共有化电子很难从低能级（满带）跃迁到 高能级（空带）上去。 在外电场的作用下，共有化电子很难接 受外电场的能量，所以形不成电流。 的能带结构,满带与空带之间也是禁带， 但是禁带很窄（?E g 约0.1～2 eV )。 绝缘体 半导体 绝缘体与半导体的击穿 当外电场非常强时，它们的共有化电子还是 能越过禁带跃迁到上面的空带中的。 绝缘体 半导体 导体 以Na晶体为例，来说明电子填充情况。 结构：体心立方晶格，每个原胞有一个原子。 电子组态：1s22s22p63s1 分析：由1s22s22p6组态能级扩展的五个能带正好被十个电子所填满（即满带），剩下一个3s带，只被一个3s电子填充到一半（即半满带）。这时若将钠晶体置于一外电场中，这个3s带中的电子将在外电场作用下，获得加速，跃入能量较高的空的能态位置上去。从而在布里渊区中建立一个沿电场方向不对称的电子占据态分布，导致沿外场方向出现电流。 而在满带中的电子，不存在上述构成电流的条件，由于中心布里渊区的对称性，存在等量的+k和-k电子，其贡献的电流互相抵消，即使在外电场作用下也互相抵消。 总结：钠晶体是良导体的原因在于其电子结构中存在半满带。 金属（碱金属，贵重金属等） 以Mg元素为例来分析IIA族的碱土金属的电子填充情况。 电子组态：1s22s22p63s2 分析：1s2，2s2，2p6，3s2等原子能级扩展的4个电子能带是满带，而且3s带也是一个满带，它正好容纳2个3s电子（对每个原子而言）。外电场作用下不能激发电流，论理应是非导体，但事实Mg却是良导体(认为3s 带和更高的3p带有交叠)。 原因在于3s和3p能级十分接近，扩展后的3s和3p能带将发生部分重叠，因此3s带尚未填满时，就会有部分电子已进入3p带中，即3s和3p能带都成为未满带。在外电场作用下，则会激发而产生电流。 金属（碱土金属等）