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第二讲 半导体二极管及应用.ppt

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阶段性小结 二极管由一个PN结构成,具有单向导电性。 0 uD iD Uon 死区 UD 反向 击穿 正向 特性 反向 特性 * * * * * * 本书所用符号规定: UD (ID) 大写字母、大写下标,表示直流量。 uD (iD) 小写字母、大写下标,表示全量。 ud (id) 小写字母、小写下标,表示交流分量。 ud 全量 交流分量 uD t UD直流分量 全量(总量)=直流分量+交流分量 uD = UD + ud 二极管是诞生最早的半导体器件之一,其应用非常广泛。 几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管,它在许多的电路中起着重要的作用。如:整流、限幅、箝位、稳压、混频、检波、调幅等等。 §1.3 晶体二极管及其应用 整流 箝位 混频 检波 二极管是诞生最早的半导体器件之一,其应用非常广泛。 几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管,它在许多的电路中起着重要的作用。如:整流、限幅、箝位、稳压、混频、检波、调幅等等。 §1.3 晶体二极管及其应用 一、二极管的结构和电路符号 二、二极管的伏安特性 三、二极管的主要参数 四、二极管的电路模型 五、二极管应用电路的分析 一、二极管的结构和电路符号 P N 阳(正)极 阴(负)极 k 阴极 阳极 a 二极管的电路符号 常见的二极管外形: 1、点接触型二极管: 结面积小,允许电流小、极间电容小,用于检波和变频等高频电路。 2、面接触型二极管: 3、平面型二极管: 用于集成电路制造工艺中,结面积可大可小,小的工作频率高,大的允许电流大,用于高频整流和开关电路。 结面积大、允许电流大,极间电容大,适于大电流整流,工作频率低。 二极管的内部结构: 工作速度和大功率两者难以得兼。 二、二极管的伏安(V-I )特性 1、二极管的伏安特性方程: UT —温度电压当量(热电压当量) UT=kT/q,常温下 UT≈26mV。 IS —二极管反向饱和电流。 ——这就是著名的PN结电流方程 + i D u D - R E 限流电阻 ——波尔兹曼常数 ——电子电量 0 uD iD - + uD iD 2、二极管的伏安特性曲线: Uon 死区 (1)二极管的开启(死区、门限)电压Uon: UOn Si:0.5V Ge:0.1~ 0.2 V 正向特性 当二极管两端的正偏电压uD4UT时, 正向电流随正偏电压的增大呈指数规律增加。(如图) (2)二极管的正向导通压降UD : 二极管导通后,管压降随电流变化很小,可认为是恒定的。 UD Si:0.7V Ge:0.3 V UD 典型值: 0 uD iD - + uD iD 2、二极管的伏安特性曲线: Uon 死区 (3)二极管的反向饱和电流IS: 反向特性 当二极管两端的反偏电压|uD|4UT时, UD IS为常数,不随反偏电压而变化,反偏时电流很小,相当于截止,二极管可看成是一个高阻抗的元件。 可见二极管具有单向导电性。 0 uD iD - + uD iD 2、二极管的伏安特性曲线: Uon 死区 (4)二极管的反向击穿电压UBR : UD 反向击穿 二极管反偏电压增大到一定值时,反向电流急剧增大,二极管反向击穿。 UBR——反向击穿电压, 关于电击穿和热击穿: 电击穿是一种可逆的击穿, 当反向电压降低后,二极管可恢复到原来的反向截止状态。 如果反向击穿时,电流过大,使管子消耗的平均功率超过二极管容许值,会使管子过热而烧毁,称为热击穿,为不可逆击穿。 *电击穿可利用,热击穿需避免。 - + uD iD 2、二极管的伏安特性曲线: (4)二极管的反向击穿电压UBR : 二极管反偏电压增大到一定值时,反向电流急剧增大,二极管反向击穿。 UBR——反向击穿电压, 电击穿是一种可逆的击穿, 当反向电压降低后,二极管可恢复到原来的反向截止状态。 如果反向击穿时,电流过大,使管子消耗的平均功率超过二极管容许值,会使管子过热而烧毁,称为热击穿,为不可逆击穿。 *电击穿可利用,热击穿需避免。 0 6V 低掺杂的PN结,价电子被碰撞电离 雪崩击穿 0 温度系数 4V 击穿电压 高掺杂的PN结,价电子被场致激发 击穿原因 齐纳击穿 电击穿有两种: 关于电击穿和热击穿: 3、二极管的伏安特性曲线与材料和温度的关系: 0 uD iD 硅 锗 1μA 0.6~0.8V 0.5V 硅 几十μA 0.2~0.3V 0.1V 锗 反向饱 和电流 导通 压降 开启电压 材料 0 uD iD 20o 80o 温度升高, IS增大(1倍/10?C) 温度升高,Uon下降, 正向曲线左移2~2.5mV/ ?C。 硅二极管的性能优于锗二极管 (1)直流电阻RD 直流电阻定义: 静态工作点(直流工

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