第二讲 半导体二极管及应用.ppt

阶段性小结 二极管由一个PN结构成，具有单向导电性。 0 uD iD Uon 死区 UD 反向 击穿 正向 特性 反向 特性 * * * * * * 本书所用符号规定: UD （ID） 大写字母、大写下标，表示直流量。 uD （iD） 小写字母、大写下标，表示全量。 ud （id） 小写字母、小写下标，表示交流分量。 ud 全量 交流分量 uD t UD直流分量 全量（总量）＝直流分量＋交流分量 uD = UD + ud 二极管是诞生最早的半导体器件之一，其应用非常广泛。 几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用。如：整流、限幅、箝位、稳压、混频、检波、调幅等等。 §1.3 晶体二极管及其应用 整流 箝位 混频 检波 二极管是诞生最早的半导体器件之一，其应用非常广泛。 几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用。如：整流、限幅、箝位、稳压、混频、检波、调幅等等。 §1.3 晶体二极管及其应用 一、二极管的结构和电路符号 二、二极管的伏安特性 三、二极管的主要参数 四、二极管的电路模型 五、二极管应用电路的分析 一、二极管的结构和电路符号 P N 阳(正)极 阴(负)极 k 阴极 阳极 a 二极管的电路符号 常见的二极管外形： 1、点接触型二极管： 结面积小，允许电流小、极间电容小，用于检波和变频等高频电路。 2、面接触型二极管： 3、平面型二极管： 用于集成电路制造工艺中，结面积可大可小，小的工作频率高，大的允许电流大，用于高频整流和开关电路。 结面积大、允许电流大，极间电容大，适于大电流整流，工作频率低。 二极管的内部结构： 工作速度和大功率两者难以得兼。 二、二极管的伏安（V-I )特性 1、二极管的伏安特性方程： UT —温度电压当量（热电压当量） UT=kT/q，常温下 UT≈26mV。 IS —二极管反向饱和电流。 ——这就是著名的PN结电流方程 + i D u D - R E 限流电阻 ——波尔兹曼常数 ——电子电量 0 uD iD - + uD iD 2、二极管的伏安特性曲线： Uon 死区 （1）二极管的开启（死区、门限）电压Uon： UOn Si：0.5V Ge：0.1~ 0.2 V 正向特性 当二极管两端的正偏电压uD4UT时， 正向电流随正偏电压的增大呈指数规律增加。（如图） （2）二极管的正向导通压降UD ： 二极管导通后，管压降随电流变化很小，可认为是恒定的。 UD Si：0.7V Ge：0.3 V UD 典型值： 0 uD iD - + uD iD 2、二极管的伏安特性曲线： Uon 死区 （3）二极管的反向饱和电流IS： 反向特性 当二极管两端的反偏电压|uD|4UT时， UD IS为常数，不随反偏电压而变化，反偏时电流很小，相当于截止，二极管可看成是一个高阻抗的元件。 可见二极管具有单向导电性。 0 uD iD - + uD iD 2、二极管的伏安特性曲线： Uon 死区 （4）二极管的反向击穿电压UBR ： UD 反向击穿 二极管反偏电压增大到一定值时，反向电流急剧增大，二极管反向击穿。 UBR——反向击穿电压， 关于电击穿和热击穿： 电击穿是一种可逆的击穿， 当反向电压降低后，二极管可恢复到原来的反向截止状态。 如果反向击穿时，电流过大，使管子消耗的平均功率超过二极管容许值，会使管子过热而烧毁，称为热击穿，为不可逆击穿。 *电击穿可利用，热击穿需避免。 - + uD iD 2、二极管的伏安特性曲线： （4）二极管的反向击穿电压UBR ： 二极管反偏电压增大到一定值时，反向电流急剧增大，二极管反向击穿。 UBR——反向击穿电压， 电击穿是一种可逆的击穿， 当反向电压降低后，二极管可恢复到原来的反向截止状态。 如果反向击穿时，电流过大，使管子消耗的平均功率超过二极管容许值，会使管子过热而烧毁，称为热击穿，为不可逆击穿。 *电击穿可利用，热击穿需避免。 0 6V 低掺杂的PN结，价电子被碰撞电离 雪崩击穿 0 温度系数 4V 击穿电压 高掺杂的PN结，价电子被场致激发 击穿原因 齐纳击穿 电击穿有两种： 关于电击穿和热击穿： 3、二极管的伏安特性曲线与材料和温度的关系： 0 uD iD 硅 锗 1μA 0.6~0.8V 0.5V 硅 几十μA 0.2~0.3V 0.1V 锗 反向饱和电流 导通 压降 开启电压 材料 0 uD iD 20o 80o 温度升高， IS增大(1倍/10?C) 温度升高，Uon下降， 正向曲线左移2~2.5mV/ ?C。 硅二极管的性能优于锗二极管 （1）直流电阻RD 直流电阻定义： 静态工作点（直流工