真空溅射镀膜-讲义.pptVIP

二、合物膜的镀制 化合物膜，通常是指由金属元素与非金属元素 (碳、氮、氧、硼、硫等)的化合物镀成的薄膜。 化合物膜的镀制，有三种技术方案可供选择：直流溅射、射频溅射和反应溅射。 1.直流溅射 许多化合物是导电材料，其导电率甚至与金属材料相当可以采用直流溅射。这类化合物中，有碳化物(如TaC，TiC，VC，ZrC)硼化物(如MoB TaB)和硅化物(如 MoSi2，TaSi2) 。这些化合物都是高熔点的脆性材料，只能用粉末冶金工程制成靶材。这种靶材成本很高，再加上磁控溅射的靶材利用率低，靶材又不容易回收，很不经济。所以尽管直流溅射镀制化合物膜的工程简单，但从经济上考虑并不适于工业生产。即使进行小批量生产，也往往受到靶材来源的限制而不易实现。 2.射频溅射 如果化合物靶材的电阻率很高，就不能用直流溅射，而只能用射频溅射。所谓射频是指无线电波发射范围的频率。为了避免干扰电台工作，溅射所用射频电源的频率，规定为13.56 MHz。 射频溅射装置与直流二极溅射装置类似，只不过两个电极是接上射频电源。在射频电源的交变电场作用下，气体中的电子随之发生振荡。气体原子受这些振荡电子的碰撞而电离，并获得等离子体。 ? 射频溅射的两个电极之一，是与机壳连接并接地的。这个电极处于零电位，并与等离子体的电位相位，几乎不受离子轰击，所以用于放置基片。习惯上称这个电极为阳极。另一个电极称为阴极，用于装置靶材，现在讨论阴极上装有绝缘靶材时的情况。 ? 阴极的电位，是按射频电源的频率变化。当阴极处于正电位时，靶面主要是从等离子体中收集电子，阴极电位为负时，靶面主要是收集离子。电子的质量很小，其运动速度 (或迁移率) 远远超过笨重的离子。因此射频放电刚发生时，靶面收集到的电子数目会超过离子。既然靶材是绝缘体，就必然有多余的负电荷在靶面累积。最终使靶面具有一个恒定的负电位 (相对于等离子体和阳极的零电位而言) 。这一负电位对电子所起的排斥作用，正好使每一周期到达靶面的电子和离子的数目相等。 靶面上的实际电位，是射频电源导致的脉动电位与恒定负电位的迭加。当靶面处于脉动电位的正半周时，脉动电位与恒定负电位相互抵消；处于负半周时，脉动电位与恒定负电位相互迭加。正是这一迭加的负电位，使离子加速而轰击靶面，并产生溅射效应。 ? 阴极靶面自发产生的恒定负电位，在射频溅射中起重要作用。首先是，调整靶面收集的电子数目，使其与轰击靶面的离子数目相等。这样，放电过程才能保持恒稳态。其次是加速离子，产生溅射效应。 ? 射频溅射装置的电源线路中，总要串联一个隔离电容。这是为了在射频溅射采用导电材料的靶材时，也能在靶面保持必不可少的恒定负电位。 ? 射频溅射最大的优点，是可以溅射任何靶材。缺点是射频电源 (尤其是大功率的) 要比直流电源复杂得多。射频范围的微波对人体有伤害，因此防护也是一个问题。 ? 磁控溅射也可以用射频电源，实现射频磁控溅射。 3.反应溅射 大规模镀制化合物膜，最适宜的方法是反应溅射。这种方法的优点在于不必用化合物靶材，而是直接用金属靶，也不必用复杂的射频电源，而是用直流溅射。 ? 反应溅射，是在金属靶材进行溅射的同时，通入反应气体，使两者在基片上发生化学反应，得到所要求的化合物薄膜。例如，镀制TiN时，靶材为金属钛，溅射气体为 Ar 和N2 混合气，镀制氧化物时，用Ar和O2混合气； 碳化物用C2H2 (乙炔)；硅化物用SiH4 (硅烷)； 硫化物用H2S。 反应溅射时，通入真空室内的反应气体，不但与基片上的膜材反应形成化合物膜，同时还与靶材反应，在靶面上形成化合物。后一反应是有害的，它使靶材的剥离速率下降，因而镀膜速率大为下降，甚至可以降低一个数量级。其原因是由于化合物的溅射产额较小，另外，还有某些其他原因，通常所谓的靶材中毒，就是指靶面形成了化合物。 靶材中毒的另一征兆，是气体放电的阻抗下降。这是由于化合物靶材的二次电子产额高于金属靶材，也就是说，每个轰击靶材的离子，可以产生更多的二次电子。于是，在溅射电压不变的条件下，电流会增大。在实际操作时，可以根据放电阻抗的变化，判断靶材的中毒情况。 为了防止靶材中毒，首要措施有两条：增大靶面功率密度和减少反应气体。前者是为了尽快地将靶面化合物剥离，并且由靶面溅射出大量金属原子，以便可以在靶面附近阻碍反应气体到达靶面。当然，靶面功率密度的增加有一定限度，也就是不能超过各种靶材的允许值，否则会烧坏靶材。后者是直接减少靶面化合物。但这也有一定限度。反应气体的通入量减少到一定程度以后，化合物膜就达不到所