复合材料原理09第4讲.pptVIP

复合材料原理 课程学科分类：材料学 课程授课人：成来飞 殷小玮 超高温结构复合材料国防科技重点实验室 2009.3.17 1 界面热化学问题 2 主被动氧化问题 3 反应与扩散 1. 界面热化学问题 1.2 热化学相图 1.2 热化学相图 很典型的Si-C-O系统在复合材料是很常见也很重要的系统： 陶瓷基 含氧和自由C的SiC纤维 金属基 涂 层 SiC涂层的氧化等 1.2 热化学相图 Si-C-O三元系统在2000K存在如下平衡关系式： C (S) ?C(g) (1) SiC(S)?Si(l)+ C(g) (2) Si(l)+O2(g)?SiO2(l) (3) SiC(S)+O2(g)?SiO2(l)+C(g) (4) C(g) +1/2O2(g)? CO(g) (5) SiC(S)+1/2 O2(g)?SiO(g)+C(g) (6) C(g) + O2(g) ? CO2(g) (7) 垂直线表示Si－SiO2界面上氧平衡压力： Si (l) +O2 (g) ? SiO2 (l) 根据△G＝－RTlnPO2 计算 短斜线表示SiC-SiO2界面上PC 和PO2的平衡关系： SiC (s) +O2 (g) ?SiO2 (l) +C (g) 根据△G=－RTln(PC/PO2) lnPC?lnPO2 △G=－RTlnPC+RTlnPO2 (斜率＋1 45?) 相图表示4个区：5个界面： C-SiC，Si-SiC，SiC-SiO2，Si-SiO2 ， C-SiO2 C-SiO2界面: lnPCO可能很大，PCO可能很高。 但一定的PCO压力对应一定的O2浓度，而界面氧气浓度需靠氧在SiO2中的扩散提供。O2在SiO2中的扩散是很慢的，因而CO的压力受O2扩散控制。 Si-C-O系统平衡时可能产生SiO(g) ： SiC(S)+1/2O2 (g)?SiO(g)+C(g) Si-C-O三元系统还可能反应生CO2 C (g) +O2 (g) ?CO2(g) SiC-SiO2界面在2000K的CO压力可能大于0.7个大气压，SiC表面的氧化层SiO2(保护膜)在低于这一压力时气泡形核长大，因而是不稳定的，高于这一压力气相反应将被抑制。 SiC与SiO2的稳定共存氧浓度区间为： ln PO2 = -13.8 ? -15.3 从热力学上讲C-SiO2界面在1273K时界面气相CO压力可能很高，但只有O2扩散使界面O2浓度达到较高水平时才能反应生成CO，但温度低，扩散较慢。因此C－SiO2在1000 ?C左右仍然共存，这就是动力学因素造成的。 2. 主被动氧化 2. 主被动氧化 被动氧化：高氧分压和中温区 2. 主被动氧化 主动氧化：低氧分压和高温区 2. 主被动氧化 2. 主被动氧化 2. 主被动氧化 2. 主被动氧化 2. 主被动氧化 2. 主被动氧化 2. 主被动氧化 3. 反