第二十九次课 MOS管及CMOS电路.ppt

三 集电极开路门（OC门） 一、MOS管的结构和工作原理 VGD=VGS-VDS , 当VDS为0或较小时，VGD＞VGS(th)，此时VDS 基本均匀降落在沟道中，沟道呈斜线分布。 MOSFET的特性曲线 增强型MOS管特性小结 耗尽型MOSFET 耗尽型MOSFET的特性曲线 双极型三极管与场效应三极管的比较 3.5.2 CMOS反相器 开关等效电路 3.6.1 CMOS门电路的使用知识 3.5.2 CMOS反相器 UCC S T2 D T1 A F NMOS管 PMOS管 CMOS电路 NMOS管的电路符号及转移特性 (a) 电路符号 （b）转移特性 D接正电源 截止 导通 导通电阻相当小 （1）NMOS管的开关特性 增强型MOS管的开关特性 PMOS管的电路符号及转移特性 (a) 电路符号 （b）转移特性 D接负电源 （2）PMOS管的开关特性 导通 导通电阻相当小 截止 对于N沟道增强型场效应管： 对于P沟道增强型场效应管： OFF ，截止状态 ON，导通状态 VDD S T1 D T2 vi vo vi = VIL =0 截止 ugs2= ?VDD 导通 v０= VOH =VDD 工作原理： S VDD UGS(th) N ＋｜ UGS(th) P ｜ UGS(th) N 0 UGS(th) P 0 v０= １ VDD S T1 D T2 vi vo vi = VOH =VDD 导通 截止 v０ = VIL =０ S vi =１ UGS(th) N 0 UGS(th) P 0 VDD UGS(th) N ＋｜ UGS(th) P ｜ 工作原理： vO V vI V DD V DD 2 1 V DD 2 1 DD 0 CMOS反相器电压传输特性曲线 UGS2＞ UGS(th)N ，|UGS1 | ＞| UGS(th)P | T1导通，T2导通 UGS2＜UGS(th)N, |UGS1|＞|UGS(th)P| T1导通，T2截止 VDD S T1 D T2 vi vo VTH UGS(th)N ︱UGS(th)p︱ UGS2 UGS(th)N, |UGS1||UGS(th)P| T1截止，T2导通 3.5.3 其他类型CMOS门电路 一、其他功能的CMOS门电路 A＝1，B=0， Y=1 1 0 0 1 导通 截止 A＝0，B=1，Y=1 0 1 1 导通 截止 1 A＝1，B=1， Y=0 1 1 1 导通 0 截止 综合上述： CMOS传输门 (a) 电路； (b) 符号 二、CMOS传输门和双向模拟开关 C C′ V 2 V 1 U I / U O U O / U I U DD ( a ) TG U I / U O U O / U I C′ C ( b ) C=1， ＝0传输门导通 C=0， ＝1传输门截止 把一个传输门TG和一个非门按图 (a)连接起来，即可构成模拟开关，其符号图(b)所示。当C=1时，开关接通；当C=0时，开关断开。该模拟开关也是双向器件。 CMOS模拟开关 (a) 电路； (b) 符号 二、CMOS传输门和双向模拟开关 C=1时，开关接通 C=0时，开关截止 三态输出的CMOS门电路 输出呈高阻态 输出呈高阻态 A F A F A F 输出呈高阻态 【例】说明图中CMOS电路的输出状态。 0 0 10k 51Ω VIH 栅极电流为0 注意；CMOS门电路 与TTL门电路的区别 （1）微功耗。 CMOS电路静态电流很小，约为纳安数量级。 （2）抗干扰能力很强。 输入噪声容限可达到VDD/2。 （3）电源电压范围宽。 多数CMOS电路可在3～18V的电源电压范围 内正常工作。 　 （4）输入阻抗高。 　 （5）负载能力强。 CMOS电路可以带50个同类门以上。 （6）逻辑摆幅大。（低电平0V，高电平VDD ） 3.5.3 CMOS电路的优点 基本要求： 理解二极管构成的与、或门工作原理； 理解三极管构成的非门工作原理； 了解TTL非门的工作原理； 掌握TTL的外特性； 5. 掌握扇出系数的计算方法 (6.掌握OC门上拉电阻的计算方法。本二) * * 数字电子技术基础 阎石主编（第五版） 信息科学与工程学院基础部 前级输出为低电平时，N1决定于门的个数； 前级输出为高电平时，N2决定于输入端的个数。 与非门扇出系数的计算 前级无论输出为高低电平，N都决定于输入端