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第三章补充 粒子数反转、光场限;目录1、半导体激光器结构2、阈;1、 FP-LD基本结构DFB;激光振荡模式☆半导体材料的增益;☆FP-LD纵模选模机理及光谱;如何获得单纵模工作??FP-L;形成激光的三条件增益物质粒子数;粒子数反转条件推导:;自发光发射跃迁导带内能量为E2;受激光发射跃迁电子在能量为hv;受激光吸收跃迁 电子在能量为h;爱因斯坦(Einstein)关;净受激发射率r21net(st;有源区的受激发射必要条件--伯;粒子数反转与光增益光波通过介质;高斯函数近似增益分布、发光光谱;(1) 随着激励水平增加,能带;增益系数与电流密度的关系增益系;增益系数与电流密度的半经验关系;GaAs结论:名义电流密度有阈;增益饱和外加正向偏置接近势垒电;半导体激光器的模式理论☆纵模—;横模:垂直pn结方向平行pn结;☆ 垂直pn结方向的电约束和光;☆ 条形☆ 平行pn结方向的电;LD光波导坐标;☆LD X方向(垂???pn结)光;X方向介质光波导主要结构 简单;大光腔结构(LOC)——四层介;在有源层附近生长一个导波层的概;分别约束异质结构(SCH)——;☆y方向(平行pn结)的载流子;强折射率波导(△n≥1%) 将;弱折射率波导(△n≤1%) -;2、增益波导--氧化物条形激光;☆对称三层介质平板波导中的本征;思路光场与激光二极管谐振腔中电;无损介质简谐波的波动方程: 在;解Z(z) 只考虑随时间变化的;把下式带入麦式方程TE模的波动;对称三层介质平板波导的TE模 ;由边界条件,在x=±da/2界;模式的功率 偶阶模和奇阶模的振;介质平板波导中心层内被限制的光;☆对称三层介质平板波导的近场与;实验结果:1、折射率差一定时,;DH-FP-LD实验结果:2、;光学常数:复折射率复电极化率光;把复折射率代入波动方程及边界条
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