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第七章 金属和半导体的接触 第七章 Part 1 第七章 Part 1 7.1 M-S接触的势垒模型 7.2 M-S接触的整流理论 7.3 少数载流子的注入和欧姆接触 前言 金属——半导体接触 由金属和半导体互相接触而形成的结构，简称M-S接触。 典型接触： 1、半导体掺杂浓度低，单向导电性——整流接触 肖特基势垒器件 2、半导体掺杂浓度高，双向导电性——欧姆接触 提供低阻互联 7.1 M-S接触的势垒模型 一、功函数和电子亲和能 真空中静止电子的能量 金 半 属 导 体 W  E E W  E E S 0 FS m 0 Fm 电子亲和能  E E0 C W   E S n 二、理想的M-S接触势垒模型 理想接触： ——在半导体表面不存在表面态 ——M-S之间没有绝缘层或绝缘层很薄的紧密接触 以金属和n型半导体的接触为例 二、理想的M-S接触势垒模型 1 WW 电子系统在热平衡状态时应有统一的费米能级 S m 电子转移 半导体体内载流子重新分布引 E 起载流子的积累或耗尽，导致 能带弯曲；但金属体内的载流 子和浓度基本没有变化 空间电荷区 二、理想的M-S接触势垒模型 半导体一侧的电子所面临的势垒： qV qV W W D S m s 表面势：从半导体表面 到内部的电势差 金属一侧的电子所面临的势垒： q qV E W  ns D n m 电子阻挡层；高阻区 ——整流接触 二、理想的M-S接触势垒模型 2 W W