第28讲静电场中的导体静电场中的电介质.doc.docVIP

教学要求 了解有极分子和无极分子，有极分子的取向极化、无极分子的位移极化、电极化强度。了解电介质的静电场。 理解静电平衡的条件、推论及其性质、静电平衡时导体上的电荷分布，空腔导体内外的静电场、静电屏蔽，有电介质时的高斯定理及应用、电位移的定义、D，E，P之间的关系。 9.5 静电场中的导体 9.5.1 导体的静电平衡 导体的特点是导体内存在着大量的自由电荷,对金属导体（本书讨论都是金属导体）而言，就是自由电子。即金属导体在它内部有可以自由移动的电荷—自由电子。一个不带电的中性导体放在静电场中，在电场力作用下，它内部自由电子将受静电场的作用而产生定向运动而改变导体上的电荷分布。这电荷的分布的改变又将反过来改变导体内外的电场分布。这种现象叫做静电感应。导体由于静电感应而带的电荷叫感应电荷。因此，当电场中有导体存在时，电荷分布和电场分布相互影响、相互制约。当导体内部和表面都没有电荷的宏观定向运动时，我们称导体处于静电平衡状态。导体达到静电平衡状态所满足的条件叫静电平衡条件。 如图9-27，我们将一块导体板放入一均匀电场中，电场力则驱动金属板内部的自由电荷逆着电场的方向运动，使得金属板的两个侧面出现等量异号的电荷。这些电荷将在金属板的内部建立一个附加电场，附加电场的方向与原场相反。金属板内部的电场强度就是和的叠加。开始时，，金属板内部的电场不为零，自由电子会不停地向左移动，从而使增大。这个过程一直达到静电平衡状态为止。 图9－27 图9－27 导体的静电平衡 静电平衡状态只有在导体内部场强处处为零时才有可能达到和维持。否则，导体内部的自由电子在电场的作用下将发生定向移动。同时，导体表面附近的电场强度必定和导体表面垂直。显然，导体的静电平衡条件是：导体内部场强处处为零，即，导体表面紧邻处的场强垂直于导体表面。这里所说的电场强度，指的是外加的静电场和感应电荷产生的附加电场叠加后的总电场，即。由于将导体放入电场中到建立静电平衡的时间是极短的（的数量级），所以通常在我们处理静电场中的导体问题时，若非特别说明，总是把它当作已达到静电平衡的状态来讨论。 处于静电平衡状态的导体，除了电场强度满足上述的静电平衡条件外，还具有以下性质： （1)导体是等势体，导体表面是等势面。当导体处于静电平衡时，因为其内部电场强度处处为零，而且表面紧邻处的电场强度都垂直于表面，所以导体中以及表面上任意两点间的电势必然为零。 （2)导体内部处处没有未被抵消的净电荷，净电荷只分布在导体的表面上。 为了证明上述结论，我们在导体内部围绕任意点P作一个小闭合曲面S（如图9-28），由于静电平衡时导体内部电场强度处处为零，因此通过此封闭曲面的电通量必然为零。按高斯定理，此闭合曲面内电荷的代数和为零，由于P点是任意的，封闭曲面也可以作得任意地小，所以导体内部各处净电荷为零,电荷只能分布在表面。 图9-29导体表面电荷与场强的关系图9-28 导体内无净电荷（3) 导体以外，靠近导体表面附近场强大小和导体表面在该处的面电荷密度 的关系为 图9-29导体表面电荷与场强的关系 图9-28 导体内无净电荷 为了证明上述结论，我们在导体表面紧邻处取一点P，以表示该点处的电场强度（如图9-29）。过P点作一个平行于导体表面的小面元，以为底，以过P点的导体表面法线为轴作一个封闭的圆柱面，圆柱面的另一底面在导体的内部。由于导体内部场强为零，而表面紧邻处的场强又与表面垂直，圆柱面的侧面与场强方向平行，所以通过此封闭圆柱面的电通量就是通过的电通量，即等于，以表示导体表面上P点附近的面电荷密度，则圆柱面包围的电荷就是。由高斯定理可得 即 注意 导体表面附近某点的场强是所有电荷（包括该导体上的全部电荷以及导体外现有的其它电荷）产生的，而不仅仅是邻近的表面电荷产生的。 图9-30导体尖端处电荷密度大问题9-10无限大均匀带电平面（面电荷密度为）的两侧场强为，而在静电平衡状态下，导体表面（该处表面面电荷密度为）附近场强为。为什么前者比后者小一半？ 图9-30导体尖端处电荷密度大 孤立的导体处于静电平衡时，它的表面各处的面电荷密度与各处表面的曲率半径有关，曲率越大的地方，面电荷密度越大。表面凸出而尖锐处，曲率较大，也较大；较平坦处，曲率较小，也较小；凹进去,曲率为负, 则更小。 图9-30给出一个有尖端的导体表面的电荷和场强分布的情况，尖端附近的面电荷密度最大。 上述结论在生产技术上十分重要。由式（9-30）对于具有尖端的带电导体，无疑尖端处的场强特别强。那里空气中散存的带电粒子（如电子或离子）在过强电场