AgInSbTe薄膜短波长记录性能分析3.PDF

第 22 卷 　第 11 期 光 　学 　学 　报 Vol. 22 ,No. 11 　　　　　 　 　 　　　　 　　　　　　　　　　　　　 2002 年 11 月 ACTA OPTICA SIN ICA November , 2002 文章编号 : (2002) AgInSbTe 薄膜的短波长记录性能分析 魏劲松 　阮 　昊 　陈仲裕 　干福熹 ( 中国科学院上海光学精密机械研究所 , 上海 201800) 摘要 : 　采用自制的装置研究了 Ag In Sb Te 薄膜的静态记录性能与记录激光的功率和脉冲宽度的关系 ,并对其 5 5 47 33 记录畴形貌特点进行了直接观察。结果表明只有记录激光的功率和脉冲宽度在一定范围之内才能起到信息记录 的作用 ,所得的记录畴形貌十分清晰 ,基本为非晶态 Ag In Sb Te ;小于该范围的激光能量不能使材料结构发生 5 5 47 33 较大的变化 ,所得的记录畴形貌模糊 ,反射率对比度低于 2 % ;大于该范围所得的记录畴由烧蚀区和其周围的非晶 态 Ag In Sb Te 组成。另外 ,得到了记录激光功率为 12 mW、脉冲宽度为90 ns 的Ag In Sb Te 薄膜的短波长最 5 5 47 33 5 5 47 33 佳记录条件 ,其记录畴的反射率对比度为 22 % ,直径为 380 nm～400 nm 。 关键词 : 　AgInSbTe 薄膜 ; 记录畴 ; 记录性能 中图分类号: O484. 4+ 1 　　　文献标识码 : A 1 　引　　言 性能和实现信息的高密度存储提供依据。 可擦写相变光盘是近十几年开发出来的新一代 2 　实　　验 光盘存储技术。在该技术中 , 以硫系或碲系半导体 合金为信息记录膜 ,在不同功率密度和脉冲宽度的 2. 1 　试样制备 激光照射下使其发生晶态 非晶态的可逆相变 ,利 非晶态的 Ag In Sb Te 薄膜的制备采用射频 5 5 47 33 用其反射率也发生相应的可逆变化来实现信息的写 磁控溅射法。溅射前将真空室抽至 8 ×10 - 4 Pa ,然 入和擦除。信息的读取则是利用不会引起材料结构 后充高纯 Ar 至 1. 0 Pa 进行溅射 ,溅射功率为 200 W , 变化的低功率密度的激光照射记录膜并测其反射率 靶直径为 200 mm ,基片为 K 玻璃。薄膜厚度采 9 来实现的。在上述过程中 ,材料的晶态与非晶态的 用多光束干涉仪进行测量 ,厚度为 30 nm 。然后溅 反射率对比度是实现信息记录和读出的关键[1～3 ] 。 射一层厚度为 20 nm 的 ZnSSiO2 作为保护膜