第三章 存储统2.pptVIP

动态存储器的组成 四管动态存储器 单管动态存储器 四管动态存储元 在六管静态存储元电路中，信息暂存于T1，T2管的栅极，这是因为管子总是存在着一定的电容。负载管T3，T4是为了给这些存储电荷补充电荷用的。 由于MOS的栅极电阻很高，故泄漏电流很小，在一定的时间内这些信息电荷可以维持住。为了减少管子以提高集成度，把负载管T3，T4去掉，这样变成了四管的动态存储电路。  　写操作:I/O与I/O加相反的电平，当T5,T6截止时，靠T1，T2管栅极电容的存储作用，在一定时间内(如2ms)可保留所写入的信息。 　　读操作:先给出预充信号，使T9，T10管导通，位线D和D上的电容都达到电源电压。字选择线使T5，T6管导通时，存储的信息通过A，B端向位线输出。 　　刷新操作:为防止存储的信息电荷泄漏而丢失信息，由外界按一定规律不断给栅极进行充电，补足栅极的信息电荷。 单管动态存储元 它由一个管子T1和一个电容C构成，写入时，字选择线为“1”，T1管导通，定入信息由位线（数据线）存入电荷C上的电荷，通过T1输出到数据线上，通过读出放大器即可得到存储信息。 单管存储元电路和四管存储元电路对比 名　称　　　优　　点　 缺　点　 四管存储元电路　　 外围电路比较简单，　　 管子多，占用的芯片面积大 刷新时不需要另加外部逻辑 　 单管存储元电路　　元件数量少，集成度高 需要有高鉴别能力的读出放 大器配合工作，外围电路比 较复杂。 随机读写存储器——动态MOS存储器 动态存储器的操作 写入操作 读出操作 刷新操作 动态RAM的存储元件依靠电容上的电荷表示存储的数据信息，而电容的绝缘电阻不可能无限大，因此漏电不可避免。 每隔一定的时间就对存储体中全部的存储电进行充电，以补充所消失的电荷，维持原存信息不变，这个过程称为“刷新”。 显然，只要定时给全部存储元电路执行一边读操作，而信息不向外输出，那么就可实现信息再生或刷新。 DRAM 的刷新 集中式刷新 分散式刷新 异步式刷新 集中式刷新 在整个的2MS的时间内集中对每一行进行刷新，刷新时读/写操作停止。每行的刷新一般与一次的读/写周期相等。 例如: 对128*128矩阵存储器进行刷新时，刷新的时间相当于128个读周期，假如读写周期为0.5us,刷新周期为2ms，那么共有2ms/0.5us=4000个周期。其中4000-128=3872个周期用来读写或维持，然后用128个周期，相当于128*0.5=64us用来刷新操作。由于在这64us中不进行读写操作，故称其为死时间。 分散式刷新方式 把每行存储元件的刷新分散安排在各个读写周期内即把读写周期分为两段，前段表示读写，后段表示刷新时间。 例如:对128*128的存储器，假如存储器的读写周期为0.5us，那么刷新的时间也为0.5us，则整个存储系统周期为1us。只需128us就能对全部的存储单元刷新一遍。 随机读写存储器——动态MOS存储器 随机读写存储器——动态MOS存储器 异步刷新方式: 将集中式和分散式结合起来,即在2ms内分散地把128行刷新一遍. 2ms/128=15.5us 说明1M×1位DRAM片子的刷新方法，刷新周期定为8ms . 【解】 　 　如果选择一个行地址进行刷新， 刷新地址为A0—A8，因此这一行上的2048个存储元同时进行刷新，即在8ms内进行512个周期的刷新。 按照这个周期数，512×2048＝1 048 567，即对1M位的存储元全部进行刷新。 刷新方式可采用：在8ms中进行512次刷新操作的集中刷新方式，或按8ms÷512＝15.5μs刷新一次的异步刷新方式。 3.3 只读存储器和闪速存储器 只读存储器 1.掩膜式ROM 特点: 由厂家制成，用户不能 修改。可靠性高。 存储元：二极管 双极型晶体管 MOS管 工作原理： 管子的基极连选择线，该管 导通，反向后输出为“