电工下册第14章半导体课件(下).pptVIP

(14-*) 2.集-基极反向截止电流 ICBO ICBO是由少数载流子的漂移运动所形成的电流，受温度的影响大。 温度??ICBO? ICBO ?A + – EC 3.集-射极反向截止电流(穿透电流)ICEO ?A ICEO IB=0 + – ICEO受温度的影响大。 温度??ICEO?，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。 (14-*) 4.集电极最大允许电流ICM 集电极电流IC上升会导致三极管的 ? 值的下降，当 ? 值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。 5.集-射极反向击穿电压U(BR)CEO 基极开路时，加在集-射极之间的最大允许电压，称为集-射极反向击穿电压。手册上给出的数值是25?C的值。温度上升时，其值将降低。 (14-*) 6. 集电极最大允许功耗PCM 集电极电流IC 流过三极管， 所发出的焦耳 热为： PC =ICUCE 必定导致结温 上升，所以PC 有限制。 PC?PCM ICM U(BR)CEO 安全工作区 IC UCE 0 ICUCE=PCM (14-*) §14.6 光电器件 发光二极管 光电二极管 光电晶体管 有兴趣的同学自学！ 第十四章课后习题 P13: 14.3.8 ---- 二极管的应用(双)：限幅 P32： 14.3.8 ---- 二极管的应用：与门 P34: 14.4.3 ---- 稳压管的应用 14.5.8 ---- 晶体管：工作区 14.6.1 ---- 发光二极管及综合 P35: 14.5.11 ---- 综合应用 (选做) (1-*) 结 束 (14-*) 1．半导体材料中有两种载流子：电子和空穴。电子带负电，空穴带正电。在纯净半导体中掺入不同的杂质，可以得到N型半导体和P型半导体。 2．采用一定的工艺措施，使P型和N型半导体结合在一起，就形成了PN结。PN结的基本特点是单向导电性。 3．二极管是由一个PN结构成的。其特性可以用伏安特性和一系列参数来描述。 内容小结 (14-*) 4.三极管工作时，有两种载流子参与导电，称为双极型晶体管。 5.是一种电流控制电流型的器件，改变基极电流就可以控制集电极电流。 6.晶体管特性可用输入特性曲线和输出特性曲线来描述。 7.有三个工作区：饱和区、放大区和截止区。 (14-*) 例3：已知：Ui = 10 sinwt V，二极管为理想元件。 试画出Uo的波形。 Ui 5V：Uo = Ui 解： 方法：判断二极管何时 导通、截止。 Ui5V ：Uo = 5V + Uo + Ui 5V + Uo + Ui 5V + Uo + Ui 5V Ui 10V 5V (14-*) 例4：二极管构成的限幅电路如图所示，R＝1kΩ，UREF=2V，输入信号为ui。 (1)若 ui为4V的直流信号，分别采用理想二极管模型、理想二极管串联电压源模型计算电流I和输出电压uo 解：（1）采用理想模型分析。 采用理想二极管串联电压源模型分析。 例题 (14-*) （2）如果ui为幅度±4V的交流三角波，波形如图（b）所示，分别采用理想二极管模型和理想二极管串联电压源模型分析电路并画出相应的输出电压波形。 解：①采用理想二极管 模型分析。波形如图所示。 0 -4V 4V ui t 2V 2V uo t (14-*) 0 2.7V uo t 0 -4V 4V ui t 2.7V ②采用理想二极管串联电压源模型分析，波形如图所示。 为了了解电流分配和放大原理，我们先来做个试验。实验电路如图所示。 把晶体管接成两个电路，基极和集电极电路，发射极是公共端，因此这种解法称为共发射极接法。 采用NPN型，基极和集电极电源电压必须按照图示连接，发射结加正向电压，集电结加反向电压，晶体管才能起到放大作用 * 用载流子在晶体管内部的运动规律来解释上述结论。 * 从晶体管内部载流子的运动规律，可以理解要使晶体管起到电流放大作用为什么发射结要正偏，集电结要反偏。 * NPN管两个电位都是正的，PNP管两个电位都是负的。NPN型集电结电位最高，发射极电位最低，PNP型发射极电位最高，集电极电位最低。 * 对于硅管来说，UCE?1V时，集电结已反向偏置，而且基区很薄，可以把从发射区扩散到基区的电子中的绝大部分拉入到集电区，以后UCE对IB的影响就不明显了，UCE?1V后的输入特性曲线基本上是重合的。 * 通常只画UCE?1V的一条输入特性曲线。 晶体管的输出特性曲线是一组曲线，如图所示，IB为0时，IC不为0