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课程综合复习;1.信号及其描述
2.测试装置的基本特性
3.常用传感器
4.信号的调理、处理
5.信号处理初步;1.信号及其描述;2.信号的时域描述及频域描述;时域分析:常用于用时间描述的信号分析;
频域分析:常用于与频率或周期相关的信号的分析;
相关分析:常用于对随机信号的分析。;电桥(结合电阻应变片复习)
信号的调制与解调(目的和方法);数字信号的频谱分析方法
——离散傅立叶变换(DFT)
◆DFT中的问题与解决方法
1)混叠;
2)采样定理;
3)截断、泄漏与窗函数;
4)栅栏效应;
5)整周期截取;
6)量化和量化误差
◆快速傅立叶变换(FFT)
信号的相关分析
信号的功率谱分析;例 题;6. 半导体应变片主要是利用半导体材料的 B 。
A.形变 B.电阻率的变化 C.弹性模量的变化 D.泊松比
7. 电阻应变片的灵敏度为 B。
A.应变片电阻丝的电阻变化率与应变值之比
B.应变片电阻丝的电阻变化率与被测件的应变值之比
C.应变片输出电压与应变值之比
8. 当测量较小应变值时,应选用根据_压阻__ 效应工作的 __半导体__应变片,而测量大应变值时应选用根据应变效应工作的_金属电阻____ 应变片。 ;11.电容式传感器灵敏度最高的是A 。
A.极距变化型 B.面积变化型 C.介质变化型
12. 电容式传感器是C传感器。
A.接触式 B.非接触式 C.结构型 D.物性型
13. 变间距式电容传感器适用于测量微小位移是因为B。
A.电容量微弱、灵敏度太低
B.传感器灵敏度与间距平方成反比,间距变化大则非线性误差大
C.需要做非接触测量
14.极距变化型的电容式传感器存在着非线性度,为了改善非线性度及提高传感器的灵敏度,通常采用差动的型式。 ;15. 光敏晶体管的工作原理是基于B 效应。
A.外光电 B.内光电 C.光生电动势
16. 下列传感器中,能量控制型传感器是B 和C ,能量转换型传感器是A 和 D。
A.光电式 B.应变片 C.电容式 D.压电式
17. 在光电作用下,使物体的内部产生定向电动势的现象称D效应。
A.内光电 B.外光电 C.热电 D. 光生伏特
18. 在光作用下,使电子逸出物体表面的现象称 B 效应。
A.内??电 B.外光电 C.热电 D. 光生伏特
19. 光电元件中常用的有光敏电阻、光敏晶体管和光电池。
20. 不同的光电元件对于不同波长的光源,其灵敏度不同 。
21. 霍尔元件是利用半导体元件的霍尔效应特性工作的。
22. 光电管的原理是根据外光电效应 ,光电池的原理是根据光生伏特效应 ,光敏电阻的原理是根据内光电效应 。 ;例:某一阶系统的时间常数为;例:一电容测微仪,其传感器的圆形极板半径r=4mm,工作初始间隙δ0=0.3mm,空气介质,试求:
1)通过测量得到电容变化量为ΔC=±3×10-3 pF,则传感器与工件之间由初始间隙变化的距离Δδ=?
2)如果测量电路灵敏度S1=100V/pF,读书仪表的灵敏度S2=5格/mV,则此时仪表指示值变化多少格?;例:若已知幅度为1脉冲宽度为;解:;;本课程到此结束
请同学们及时复习
预祝同学们考出好成绩!
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