基于TRENCHSTOPTM5技术工业应用高速IGBT.PDFVIP

基于TRENCHSTOPT M 5 技术工业应用的高速 IGBT IFAT IPC APS AE Forrest Zheng Giulia Seri Davide Chiola 出版日期：２０１２年０９月０２日 英飞凌科技出版 奥地利 AG 9500 维拉赫, 奥地利 © 2012 英飞凌科技 AG. 保留所有权利 注意！ 本应用手册给出的信息不能被视为一定条件或特定条件的保证。对于本文任何例子或给出的提示， 任何典型值，和或任何有关器件的应用信息，英飞凌科技在此声明，未就本文中给出的任何及所 有信息作出任何性质的保证，也不承担任何性质的责任，包括但不限于没有侵犯任何第三方的知 识产权的保证。 信息查询 若需获得关于技术、交付条款和价格的更多信息，敬请联系距离您最近的英飞凌办事处 （ ） 为方便客户浏览，英飞凌以下所提供的将是有关英飞凌产品及服务资料的中文翻译版本。该中文 翻译版本仅供参考，并不可作为任何论点之依据。虽然我们尽力提供与英文版本含义一样清楚的 中文翻译版本，但因语言翻译和转换过程中的差异，可能存在不尽相同之处。因此，我们同时提 供该中文翻译版本的英文版本供您阅读，请参见【 】。 并且，我们在此提醒客户，针对同样的英飞凌产品及服务，我们提供更加丰富和详细的英文资料 可供客户参考使用。请详见【IGBT without Anti-Parallel Diode】 客户理解并且同意，英飞凌毋须为任何人士由于其在翻译原来的英文版本成为该等中文翻译版本 的过程中可能存在的任何不完整或者不准确而产生的全部或者部分、任何直接或者间接损失或损 害负责。英飞凌对于中文翻译版本之完整与正确性不担负任何责任。英文版本与中文翻译版本之 间若有任何歧异，以英文版本为准，且仅认可英文版本为正式文件。 您如果使用以下提供的资料，则说明您同意并将遵循上述说明。如果您不同意上述说明，请不要 使用本资料。 信息查询 若需获得关于技术、交付条款和价格的更多信息，敬请联系距离您最近的英飞凌办事处 （ ） 2 警告 由于技术要求，组件可能包含有害物质。若需了解相关物质的类型，请联系距离您最近的英飞凌 办事处。如果可以合理地预计英飞凌的某个组件失效可能会导致生命支持设备或系统失效，或者 影响该等设备或系统的安全性或有效性，那么在将这些组件用于生命支持设备或系统之前，必须 获得英飞凌的明确书面同意。生命支持设备或系统意指用于植入人体内部，或者支持和/或维持、 维系和/或保护人类生命的设备或系统。如果这些设备或系统失效，可以合理推定其用户或其他人 的健康将受到威胁。 AN2012-11 修定记录：2012.9 ， V1.0 之前版本：无 主题内容：TRENCHSTOPＴＭ ５ 作者： 请提意见 如果您觉得本文档中涉及信息有错、不清楚或者有遗漏的，请把您的意见发到[Forrest.Zheng@] 。您 的反馈意见将有助于我们不断提高文档质量。 3 目录 1 简介5 2 技术与产品系列概述5 2.1 TRENCHSTOPTM 5 的静态与动态特性6 2.1.1 与前一代产品对比7 2.1.2 动态特性9 3 工业应用时的性能测量-太阳能逆变器的逆变环节 11 3.1 损耗计算 11 3.2 双极性H 桥测试平台14 4 总结17 5 参考文献17 4 1 简介 为提高变换器功率密度，在过去提出了采用快速IGBT 代替传统结构或者超级结的MOSFET 。但 是，由于技术的不足，快速IGBT 仍然不适用于要求技术和成本都要有优势的一些领域。 新的TRENCHSTOPTM 5 IGBT 克服了这些技术不足，为高开关频率，如太阳能光伏逆变器、不间 断电源（UPS ）、弧焊机