半导体物理基础(6)PN结.ppt

势垒电容 对于线性缓变结 对于突变结： 对于突变结： 其中 : ——扩散电容 也称电荷存储电容（charge storage capacitance ） CT与CD都与p-n结的面积A成正比，且随外加电压而变化。 点接触式二极管面积很小， CT 、CD ：0.5—1pF 面结型二极管中的整流管面积大， CT 、CD ：几十—几百pF 点接触型 正极 引线 触丝 N 型锗片 外壳 负极 引线 负极引线 面接触型 N型锗 PN 结 正极引线 铝合金 小球 底座 金锑 合金 正极引线 负极引线 集成电路中平面型 P N P 型支持衬底 点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。因此，其PN结的静电容量小,适用于高频电路。 因为构造简单，所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言，它是应用范围较广的类型。 点接触型 正极 引线 触丝 N 型锗片 外壳 负极 引线 面结型与点接触型二极管相比较，正向特性和反向特性好，因此，用于大电流和整流。 负极引线 面接触型 N型锗 PN 结 正极引线 铝合金 小球 底座 金锑 合金 p-n结的总电容为两者之和： 正向偏置p-n结时，以CD为主，Cj≈CD 反向偏置p-n结时，以CT为主，Cj≈CT 在反向偏置下，当反向电压很大时， p-n结的反向电流突然增加，从而破坏了p-n结的整流特性-- p-n结的击穿。 p-n结中的电场随着反向电压的增加而增加，少数载流子通过反向扩散进入势垒区时获得的动能也就越来越大，当载流子的动能大到一定数值后，当它与中性原子碰撞时，可以把中性原子的价电子激发到导带，形成电子-空穴对——碰撞电离。 连锁反应，使载流子的数量倍增式的急剧增多，因而p-n结的反向电流也急剧增大，形成了雪崩击穿。 影响雪崩击穿电压的主要因素： 1.掺杂浓度:掺杂浓度大,击穿电压小. 2.势垒宽度:势垒宽度足够宽,击穿电压小 3.禁带宽度:禁带宽度越宽,击穿电压越大. 4.温度:温度升高,击穿电压增大. 是掺杂浓度较高的非简并p-n结中的击穿机制. 根据量子力学的观点,当势垒宽度XAB足够窄时,将有电子穿透禁带.当外加反向电压很大时,能带倾斜严重,势垒宽度XAB变得更窄.造成很大的反向电流.使p-n结击穿. XD XAB 影响齐纳击穿电压的主要因素： 1.掺杂浓度:掺杂浓度大,击穿电压小. 2.禁带宽度:禁带宽度越宽,击穿电压越大. 3.温度:温度升高,击穿电压下降.. 齐纳击穿电压具有负的温度系数,而雪崩击穿电压具有正的温度系数,这种温度效应是区分两种击穿机构的重要方法. 掺杂浓度高,反向偏压不高的情况下,易发生齐纳击穿. 相反,易发生雪崩击穿. 禁带宽度较窄的半导体易发生这种击穿. 当p-n结的两边都是重掺杂时: (1) 费米能级分别进入导带和价带. (2)势垒十分薄. 在外加正向或反向电压下,有些载流子将可能穿透势垒产生额外的电流. —隧道电流 平衡时 加正向电压的情况 加反向电压的情况 隧道二极管的优点： 温度影响小、高频特性良好 如果用hνEg的光照射具有p-n结结构的半导体表面,那么只要结的深度在光的透入深度范围内,光照的结果将在光照面和暗面之间产生光电压. —光生伏特效应. 试述平衡p-n结形成的物理过程..它有什么特点?画出势垒区中载流子漂移运动和扩散运动的方向. 2.内建电势差VD受哪些因素的影响?锗p-n结与硅p-n结的VD哪个大?为什么? 3.试比较平衡p-n结,正向偏置p-n结,反向偏置p-n结的特点. 4.写出p-n结整流方程,并说明方程中每一项的物理意义? 5.p-n结的理想伏-安特性与实际伏-安特性有哪些区别?产生的原因是什么? 6.p-n结为什么有电容特性?与普通电容相比有哪些相似之处?有哪些区别? 7. p-n结击穿主要有哪几种?说明各种击穿产生的原因和条件.影响它们的因素有哪些? 8.在隧道二极管中,n区常重掺杂使EFn位于导带中,p区重掺杂使EFp位于价带中,画出这种二极管在零偏时的能带图,并说明外加正偏或反偏时,能带将如何变化? 9.隧道二极管与一般p-n二极管的伏-安特性有什么不同?它有什么优点? * * * * 势垒高度~ ND、NA 4.空间电荷区宽度(Space charge region width) 突变结 1. 势垒区的自由载流子全部耗尽,并忽略势垒区中载流子的产生和复合。 I-V characteristic of a p-n juncti