基于微加工工艺光纤消逝场传感器和其长度特性研究！.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 0( %%’ ， ， ， M=6 *0( L= * .N56 %%’ （ ） !%%%2$’%E%%’E0( % E0%!2) .FG. +HIJKF. JKLKF. %%’ F85? * +87O * J= * 基于微加工工艺的光纤消逝场传感器 及其长度特性研究! ）） ） ） ） ） ! ! # ! ! ! 庄须叶 吴一辉 王淑荣 张 平 刘永顺 !）（中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室，长春 !$%%$$ ） ）（中国科学院研究生院，北京 !%%%’ ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） %%( $ $% %%( ) $ 用硅光刻工艺和二氧化硅湿法腐蚀工艺制作了针状封装结构的光纤消逝场传感器 该结构的传感器体积小、 * 试剂消耗量少，减轻了测量过程中光纤的变形，密封的结构可以有效地防止传感器受到污染* 从理论和实验角度研 究了不同长度的光纤消逝场传感器的测量结果，分析了传感光纤长度对传感器吸光度的影响，指出随着传感器传 感光纤长度的继续增加，会使后续增加的传感光纤对传感器灵敏度的贡献越来越小* 关键词：硅光刻工艺，针状封装，光纤消逝场传感器，传感光纤长度 ： ， ， !## (!+ %,!% (!- 本文在前期研究工作的基础上对传感器进行了 !@ 引 言 针状封装优化，提高了传感器的强度，密闭的环境可 以保护传感光纤不受灰尘等污染物的污染 把理论 * 光纤消逝场传感器与传统的传感器相比有成本 计算结果和试验结果进行了比较，分析了光纤传感 低、灵敏度高、耐酸碱腐蚀、抗电磁干扰能力强等优 长度对消逝场光纤传感器各性能的影响* 点* 近几十年来得到了广泛的关注，在环境监测、医 ［— ］ 疗卫生防疫、化学化工等行业有着广泛的应用! * @ 基本理论 %%, 年本实验室提出了少模光纤消逝场传感 ［］ 器的设计和制作方法0 ，讨论了传感器主要参数如 光在光纤中传播时，因全反射会在光纤芯层和 光纤直径、折射率、光线入射角等对其灵敏度的影 包层的边界上产生一个渗透到包层中的能量场，能 响 理论上，光纤消逝场传感器的灵敏度会随其传感 * 量在光纤包层中随距界面距离的增加而呈指数衰 区直径的减小和传感光纤长度的增加而提高 然而， * ［］