集成电路工艺基础——09_金属化与多层互连.ppt

Chap 9 金属化与多层互连 金属化 金属及金属性材料在集成电路技术中的应用 金属化的作用 将有源元件按设计的要求联结起来形成一个完整的电路和系统 提供与外电源相连接的接点 互连和金属化不仅占去了相当的芯片面积，而且往往是限制电路速度的主要矛盾之所在。 金属材料的应用 金属材料的用途及要求： 栅电极 与栅氧化层之间有良好的界面特性和稳定性 合适的功函数，满足NMOS和PMOS阈值电压对称的要求 多晶硅的优点 可以通过改变掺杂的类型和浓度来调节功函数 与栅氧化层有很好的界面特性 多晶硅栅工艺具有源漏自对准的特点 金属材料的应用 金属材料的用途及要求： 互连材料 电阻率小 易于淀积和刻蚀 好的抗电迁移特性 Al Cu 金属材料的应用 金属材料的用途及要求： 接触材料 良好的金属/半导体接触特性（好的界面性和稳定性，接触电阻小，在半导体材料中的扩散系数小） 后续加工工序中的稳定性； 保证器件不失效 Al 硅化物（PtSi、CoSi） 集成电路对金属化材料特性的要求 基本要求： 1 低阻的欧姆接触，低阻的互连引线 2 抗电迁移性能好 3 附着性好 4 耐腐蚀 5 易淀积和刻蚀 6 易键合 7 互连层绝缘性好，层间不发生互相渗透和扩散，要求有一个扩散阻挡层。 集成电路对金属化材料特性的要求 晶格结构和外延生长的影响 薄膜的晶格结构决定其特性 电学特性 电阻率、TCR、功函数、肖特基势垒高度等 机械特性、热力学特性以及化学特性 铝在集成电路中的应用 Al的优点： 电阻率低 与n+,p +硅或多晶硅能形成低阻的欧姆接触 与硅和BPSG有良好的附着性 易于淀积和刻蚀 故成为最常用互连金属材料 金属铝膜的制备方法（PVD） 真空蒸发法（电子束蒸发） 利用高压加速并聚焦的电子束加热蒸发源使之蒸发淀积在硅片表面 溅射法 射频、磁控溅射 污染小，淀积速率快，均匀性，台阶覆盖性好 Al/Si接触中的现象 铝硅互溶 Al与SiO2的反应 铝硅互溶 铝硅相图 相图表示两种组分与温度的关系 Al-Si系具有低共熔特性 Al-Si系的共熔温度为577℃，相应的组分配比为Si占11.3%，Al占88.7% 淀积Al时Si衬底的温度不得高于577 ℃ 插图表示Si在Al中的固熔度 400 ℃时，Si在Al中的固熔度为0.25%（重量比） Al在Si中的溶解度低，Si在Al中的溶解度较高。 故退火时， 有相当可观的Si原子会溶到Al中 Si在Al中的扩散系数 在一定的退火温度下，退火时间为ta时，Si原子的扩散距离为 其中D为扩散系数 Al与SiO2的反应 Al与SiO2的反应 4Al+ 3SiO2 → 3Si+2Al2O3 吃掉Si表面的SiO2 ，降低接触电阻 改善Al引线与下面SiO2 的黏附性 Al/Si接触中的尖楔现象 Al/Si接触中的尖楔现象 Al/Si接触中的尖楔现象 Si溶解与Al中，消耗的Si体积为： 假定Si在接触孔面积A内是均匀消耗的，则消耗掉的Si层的厚度为： 影响尖楔因素 Al-Si界面的氧化层的厚度 薄氧(尖楔较浅） 厚氧(尖楔较深） 衬底晶向 〈111〉：横向扩展 、双极集成电路 〈100〉：垂直扩展 、pn结短路 、MOS集成电路（尖楔现象严重） Al/Si接触的改进 Al/Si接触的改进方法： 铝-硅合金金属化引线 铝-掺杂多晶硅双层金属化结构 铝-阻挡层结构 铝-硅合金金属化引线-第1种解决方案 用Al-Si合金代替纯铝作为接触和互连材料。 可消弱尖楔问题，却引起新的问题 硅的分凝问题——在较高合金退火温度下溶解在Al中的Si，在冷却过程中又从Al中析出。 未溶解的硅形成一个个硅单晶节瘤 欧姆接触电阻变大，引线键合困难 双层金属化-第2种解决方案 铝-重掺杂多晶硅（P,As） 在淀积铝膜前一般先淀积一层重P（As）掺杂多晶硅 提供溶解于铝中所需的硅原子，从而抑制了尖楔现象 铝-掺杂多晶硅双层金属化结构成功应用于nMOS工艺中。 铝-阻挡层结构-第3种解决方案 可在铝、硅之间淀积一层薄金属层，代替重磷掺杂多晶硅，称该薄金属层为阻挡层。一般用硅化物代替金属，因为硅化物可以和硅表面的氧化层发生反应，从而与硅有很好的附着作用和低的欧姆接触电阻。 电迁移现象 在较高的电流密度作用下，互连引线中的金属原子将会沿着电子运动方向进行迁移，这种现象就是电迁移(EM)。 本质是导体原子与通过该导体的电子流互相作用，对于铝就是铝原子沿着晶粒间界的扩散。 结果： 一个方向形成空洞，使互连引线开路或断开。 另一个方向则由于铝原子的堆积而形成小丘，造成光刻困难以及多层布线之间的短路。 中值失效时间 表征电迁移现象的物理量是互连引线的中值失效时间MTF（Median Time to Failure），