铋膜电极阳极溶出伏安法检测痕量Cd金属.PDFVIP

第34 卷 第 1 期 无 机 材 料 学 报 Vol. 34 No. 1 2019 年1 月 Journal of Inorganic Materials Jan., 2019 文章编号: 1000-324X(2019)01-0091-05 DOI: 10.15541/ji 铋膜电极阳极溶出伏安法检测痕量 Cd 金属 要美娜, 杨贤金, 崔振铎, 朱胜利, 李朝阳, 梁砚琴 (天津大学 材料科学与工程学院, 先进金属功能材料实验室 天津 300350) 摘 要: 镉氧化产生的溶出电流与样品中Cd2+ 的浓度有关。本研究通过方波阳极溶出伏安法(SWASV)在活化铋膜电 极(Activated BFE)上对低浓度μg/L 水平的Cd(II)进行测定。通过电化学方法对电极进行初步改性, 然后电沉积制备 铋膜再次对电极进行改进, 从而增强了对痕量目标 Cd2+ 的敏感性。对改性前后的玻碳电极(GCE)表面进行 SEM、 CV 、EIS 和 SWV 的表征。为了将这种伏安法传感器应用于含有低浓度Cd2+ 的实际样品中, 对检测 Cd2+ 的实验参 数进行了研究。使用选定的条件, 在 10 min 的预富集条件下Cd2+ 的检测限为1 μg/L 。 关 键 词: 铋膜; 阳极溶出伏安法; 化学修饰电极; 电化学检测; 镉离子 中图分类号: TQ174 文献标识码: A 2+ Detection of Cd by Square Wave Anodic Stripping Voltammetry Using an Activated Bismuth-film Electrodes YAO Mei-Na, YANG Xian-Jin, CUI Zhen-Duo, ZHU Sheng-Li, LI Zhao-Yang, LIANG Yan-Qin (Advanced Metallic Functional Materials Laboratory, School of Materials Science and Engineering, Tianjin University, Tianjin 300350, China) Abstract: The stripping current arising from the oxidation of Cd was related to the concentration of Cd2+ in the sample. This study presents the determination of Cd(II) at low concentration μg/L levels by square wave anodic stripping voltammetry (SWASV) on an activated bismuth-film electrode (BFE). The electrode was initially modi- fied by an electrochemical method, and then the electrodeposited bismuth-film was prepared again to i