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SOl器件的物理效应模拟及其抗总剂量辐射加固技术的研究蕊8 SOl器件的物理效应模拟及其抗总剂量辐射加固技术的研究 蕊8 0 1 3 8。。 摘要 一 林青 (微电子学与固体电子学) 导师：林成鲁研究员 张正选研究员 SOl技术的研究是微电子领域发展的前沿课题，SOI电路具有高速、低压、低功 耗、抗辐照、酬高温等优点，被誉为“21世纪的硅集成电路技术”。本论文根据国家 973项目、国家自然科学基金项目、军工预研项目等国家任务的需要，开展了SOI自 加热效应及抗总剂量辐射加固技术的研究，获得的主要结果如下： 初步建立了SOI器件的温度分布模型，对产生自加热效应的机理进行了探讨性 的研究，并采用MEDICI数值模拟的方法，对影响SOI器件自加热效应的各参数进 行了提取，从理论上证明了，MOS／SOI各参数对SOI器件的自加热效应都有较大的 影响，其巾，顶层Si膜或氧化埋层厚度越大，自加热效应对器件性能的影晌越严重， 反之则影响越小；沟道区掺杂浓度越大，自加热效应对器件性能的影响越小，反之则 影q自越严重：源漏区掺杂浓度越大，自加热效应对器件性能的影响越严重，反之则影 响越小。根据这些模拟结果，我们在进行S01器件设计时，在适当满足其它要求的 情况下，可以通过优化器件参数来有效降低自加热效应对器件性能的影响。 为了有效抑制或降低SOI器件的自加热效应，我们结合国内外最新研究结果， 提出了几科l新型SOl结构材料，尤其率先提出了以Si02／Si3N4／Si02为埋层的三明治关 心SOl结构，并采用器件模拟的方法直观地证明了这几种新型结构可以有效地抑制 SOl器件的自加热效应。 SOl独特的结构虽然使它具有良好的抗瞬时辐射的性能，但也由于它具有多个 Si／Si02界面，导致SOI器件和电路对总剂量辐射相当敏感。我们率先模拟研究了 NMOFET／SOI总剂量辐射效应的梳理，并从理i仑上证实了，通过对器件参数进行优 化，可以有效提高SOl器件抗辐射加固性能。 为提高SOl器件和电路抗总剂量辐射加固性能，我们与中国科学院北京半导体 中国科学院上海徽系统与信，也技术研究所博士学位论文 摘要所合作，从材判加固的角度出发，提出了采用F离子注入的方法，以改善SIMOX／SOI 摘要 所合作，从材判加固的角度出发，提出了采用F离子注入的方法，以改善SIMOX／SOI 利判抗总剂量辐劓的性能，从而提高S01器件和电路抗总剂量辐射性能。在这～部 分研究中，我们提出了将F离子注入到标准SIMOX材料的顶层Si和氧化埋层这两 种加固二L艺。然后，将注过F离子的SIMOX／SOI片子和作为对比片的标准SIMOX／SOI 片‘J：在同一工艺线上流片，接着对流片后所得到的NMOS／SOI进行了辐射前后的电 ’、；：性能测试。在测试过程中，因为实验条件所限，我们自主设计并制备了辐刺加压偏 簧。从测试结果可以证明，适当能量和哜0量的F离子引入可以有效地提高SOl器件 抗总剂量辐划性能。这种采用F离子注入SIMOX材料来提高SOI器件和电路抗总剂 量辐射加固性能的方法，在国内是首次的，在国外也鲜有报道。 结合我所二十年来SOI技术的研究，我们提出了采用N+、0+共注入制备 SIMON／S01来提高SOl材料与器件抗总剂量辐射性能的方法，不仅从理论上模拟研 究了N+、0+共注入工艺，而且与其他研究人员合作，采用离子注入的方法，获得了 这种结构材料，模拟数据和实验结果相当吻合。 关键词：自加热效应， 夹心埋层结构， SOIM结构， 总剂量辐射效应， MEDICI 模拟 中国科擘院上海檄系统与信息技术研究所博士学位论文 !旦!墨竺塑塑堡塾生堡翌墨苎苎：墨型兰塑塑竺璺垫查竺翌窒Abstract !旦!墨竺塑塑堡塾生堡翌墨苎苎：墨型兰塑塑竺璺垫查竺翌窒 Abstract Author：Lm Qing Supervisor：ProE Lin Chenglu Vice—Supervisor：Prof．Zhang Zhengxuan Majol’Microelectlonics and Solid Slate Electronics SOl(Silicon—On—Insulator) is oue of the cutting-edge research focuses in microelectronics industry．Based on the demands and supports of special Funds for Major state Basic Research Projects and the National Natural Science Foundation of China，a Sel’ies of investigations on the Sel