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第10章 金属化与多层互连 微电子工艺(5) ----工艺集成与封装测试 第五单元 工艺集成与封装测试 第12章 工艺集成 第13章 工艺监控 第14章 封装与测试 第12章 工艺集成 12.1 金属化与多层互连 12.2 CMOS集成电路工艺 12.3 双极型集成电路工艺 12.1 金属化与多层互连 金属及金属性材料在芯片上的应用被称为金属化，形成的整个金属及金属性材料结构称金属化系统。 金属化材料可分为三类： 互连材料； 接触材料； MOSFET栅电极材料。 12.1 金属化与多层互连 互连材料指将同一芯片内的各个独立的元器件连接成为具有一定功能的电路模块；接触材料是指直接与半导体材料接触的材料，以及提供与外部相连的连接点；MOSFET栅电极材料是作为MOSFET器件的一个组成部分，对器件的性能起着重要作用。 12.1.1 欧姆接触 欧姆接触指金属与半导体的接触电阻值远小于半导体本身电阻。 金/半接触的电流密度： 肖特基势垒高度： 接触电阻： 低掺杂接触电阻： 高掺杂接触电阻： 12.1.2 布线技术 集成电路对互连布线有以下要求： ①布线材料有低的电阻率和良好的稳定性； ②布线应具有强的抗电迁移能力； ③布线材料可被精细刻蚀，并具有抗环境侵蚀的能力； ④布线材料易于淀积成膜，粘附性要好，台阶覆盖要好，并有良好的可焊性。 1、电迁移现象 在大电流密度作用下金属化引线的质量输运现象。质量输运沿电子流方向，结果在一方形成空洞，另一方形成小丘。 中值失效时间MTF 指50%互连线失效的时间 ： 2、稳定性 金属与半导体之间的任何反应，都会对器件性能带来影响。如硅在铝中具有一定的固溶度，若芯片局部形成“热点”，硅会溶解进入铝层中，致使硅片表面产生蚀坑，进而出现尖楔现象，造成浅结穿通。克服这种影响的主要方法是选择与半导体接触稳定的金属类材料作为阻挡层或在金属铝中加入少量半导体硅元素，使其含量达到或接近固溶度，这就避免了硅溶解进入铝层。 3、金属布线的工艺特性 附着性要好，指所淀积的金属薄膜与衬底硅片表面的氧化层等应具有良好的附着性。 台阶覆盖性好，是指如果衬底硅片表面存在台阶，在淀积金属薄膜时会在台阶的阴面和阳面间产生很大的淀积速率差，甚至在阴面角落根本无法得到金属的淀积。这样会造成金属布线在台阶处开路或无法通过较大的电流。 4、合金工艺 金属膜经过图形加工以后，形成了互连线。但是，还必须对金属互连线进行热处理，使金属牢固地附着于衬底硅片表面，并且在接触窗口与硅形成良好的欧姆接触。这一热处理过程称为合金工艺。 合金工艺有两个作用：其一增强金属对氧化层的还原作用，从而提高附着力；其二是利用半导体元素在金属中存在一定的固溶度。 12.1.3 多层互连 多层互连，一方面可以使单位芯片面积上可用的互连布线面积成倍增加，允许可有更多的互连线；另一方面使用多层互连系统能降低因互连线过长导致的延迟时间的过长。因此，多层互连技术成为集成电路发展的必然。 多层互连系统主要由金属导电层和绝缘介质层组成。因此可从金属导电层和绝缘介质层的材料特性，工艺特性，以及互连延迟时间等多个方面来分析ULSI对多层互连系统的要求。 12.1.3 多层互连 12.1.4 铜多层互连系统工艺流程 12.1.4 铜多层互连系统工艺流程 12.2 CMOS集成电路工艺 12.2.1 隔离工艺 12.2.1 隔离工艺 12.2.1 隔离工艺 12.2.2 阱工艺结构 12.2.3 薄栅氧化技术 12.2.4 非均匀沟道掺杂 12.2.5 栅电极材料与难溶金属硅化物自对准工艺 12.2.6 源/漏技术与浅结形成 12.2.7 CMOS电路工艺流程 12.2.7 CMOS电路工艺流程 12.2.7 CMOS电路工艺流程 12.3 双极型集成电路工艺 12.3.1 隔离工艺 12.3.1 隔离工艺 12.3.2 双极型集成电路工艺流程 12.3.2 双极型集成电路工艺流程 12.3.3 多晶硅在双极型电路中的应用 第13章 工艺监控 13.1 概述 13.2 实时监控 13.3 工艺检测片 13.4 集成结构测试图形 13.1 概述 所谓工艺监控就是借助于一整套检测技术和专用设备，监控整个生产过程，在工艺过程中，连续提取工艺参数，在工艺结束时，对工艺流程进行评估。 工艺过程检测内容包括硅与其它辅助材料检测和工艺检测两大部分。 材料检测； 工艺检测。 13.1 概述 工艺检测技术得到了迅速的提高，今后将主要向着三个方向发展： 工艺线实时监控；