电子电路基础_第二章(1)_唐恬.pptxVIP

电子电路基础;本章概述;2.1 双极型晶体管 1947年12月16日，美国贝尔实验室的肖克莱、 巴丁和布拉顿组成的研究小组，研制出一种点 接触型的锗晶体管，1956年这三人因此或诺贝 尔物理学奖！ 本章学习的晶体管由两个背靠背的PN结构成， 其中电子和空穴都参与导电，所以称为双极性结型晶体管（BJT），下章将要学习的场效应管只有一种载流子参与导电，缩写为FET 晶体管的结构：;2.1 双极型晶体管 2.1.1 晶体管的工作原理 晶体管的四种工作状态（注：注意发射结门限电压） 例题：判断以下晶体管工作状态;2.1 双极型晶体管 2.1.1 晶体管的工作原理 内部载流子运动规律：本节主要讨论放大状态下的 载流子传输过程（发射结正偏，集电结反偏） 从高掺杂N+的电子电流角度看： 丛少子及基区低浓度多子电流角度 看，还存在很小的： ;2.1 双极型晶体管 2.1.1 晶体管的工作原理 晶体管的电流传输关系 晶体管的三种基本组态：晶体管作为三端器件，通常有一个极作为公共端点，公共端点确定共基极（共基、CB）、共发射级（共射、CE）、共集电极（共集、CC）三种组态 三种组态下载流子运动规律相同，但输入电流与输出电流的关系不同 注意“工作状态”和“组态”的区别 ;2.1 双极型晶体管 2.1.1 晶体管的工作原理 结合晶体管组态，由内部载流子运动规律得出的重要知识 晶体管如何实现放大（输入对输出的控制作用）： 共基时，通过电子/空穴复合产生的iBp来影响iE到iC的输出，电流放大倍数小于但接近于1 共射时，vBE/iB的微弱变化能够引起iE的剧烈变化（回忆二极管电流方程）进而引起iC的剧烈变化，放大倍数为几十到几百 晶体管实现放大的外部条件和内部条件： 两个PN结背靠背能构成晶体管吗？ 发射结正偏、集电结反偏；发射区高掺杂，基区薄、掺杂浓度低，集电结面积大； ;2.1 双极型晶体管 2.1.1 晶体管的工作原理 晶体管的电流传输关系 共基电流传输关系：考查IC和IE之间的传输关系 定义共基直流放大系数 因 则 忽略ICBO时有 表征了IE转化为ICn的能力，典型值 为0.95~0.995，为了使其趋近于1，应该使发射区掺杂浓度高，基区掺杂浓度低且薄 ;2.1 双极型晶体管 2.1.1 晶体管的工作原理 晶体管的电流传输关系 共射电流传输关系：考查IC和IB之间的传输关系 因 ， ，可得 则 定义共射直流放大系数及穿透电流分别为 则有 典型值为几十至几百，ICEO是基极开路（IB=0）时流过集电极和发射机的电流，典型值为微安级 共集电流传输关系：考查IE和IB之间的传输关系 晶体管三种组态下，输入电流都对输出电流有控制/放大作用， 这是实现信号放大的机理，也说明晶体管是电流控制器件;2.1 双极型晶体管 2.1.2 晶体管的静态特性曲线 静态特性也即是伏安特性曲线 本书以共射电路为例分析如下两类伏安特性曲线/曲线族 输入特性曲线： 输出特性曲线： 输入特性曲线： 当vBE0时 当vCE=0时：相当于两个并联的二极管， 曲线与PN结伏安特性曲线类似 当vCE增大时：集电结由正偏变为反偏， 吸收电子能力增强，iB减弱，曲线右移 当vCE1V时：再增加vCE曲线基本不再 移动， 因为绝大部分电子已经被集电 极收集，如果考虑基区宽度调制效应， 曲线会略有右移 当vBE0时 基极反向饱和电流很小，当vBE向负方向增大到V(BR)EBO，发射结被击穿，由于发射区掺杂浓度高，属于齐纳击穿，其值在-6V左右 ;2.1 双极型晶体管 2.1.2 晶体管的静态特性曲线 输出特性曲线 每一个iB对应一条曲线，不同的曲线在一起构成曲线族 vCB=0的虚线是指vCE=vBE各点的连线 曲线族分为饱和区、放大区、截止区和击穿区四个区域 ;2.1 双极型晶体管 2.1.2 晶体管的静态特性曲线 输出特性曲线 饱和区： vCE很小时，集电结收集电子能力弱 vCE稍有增大，收集能力增强，iC增大很快 随着vCE的增大，iC增速放缓