第12章存储器和虚拟存储器管理 (3).pptxVIP

第12章 存储器和虚拟存储器管理;;回顾——存储程序原理 指令系统中指令的执行顺序：取指＋译码＋指令的控制执行 指令真正执行是从磁盘中取指令开始的 存储器(Memory/Storage) Memory：本意为“记忆装置”。多指存储器的整体(包括：记录介质，有关电路和其他部件) Storage：本意为“仓库”。多指记录介质本身(包括：磁带、磁盘、磁卡、磁鼓、存储矩阵); ;存储器的基本术语;存储器的基本术语;存储器分类 ;按存储器在计算机中的作用分 高速暂存存储器(Scratch-pad Storage) 亦称便笺式存储器，封装在CPU内 用于存放当前正在执行的指令和使用的数据 用触发器实现，速度快，容量小(几十个) 高速缓冲存储器(Cache) 位于CPU内部或位于主存和CPU之间 用来存放当前正在执行的局部程序段和数据 用SRAM实现，速度O(ns)、容量O(KB) ? O(MB) 主存储器 位于CPU之外 用来存放已被启动的程序及所用数据 用DRAM实现，速度O(ns)、容量O(MB) ? O(GB);按存储器在计算机中的作用分 辅助存储器 位于主机之外 用来存放暂不运行的程序、数据或存档文件 用磁表面或光存储器实现，容量大，但速度慢 ◆ 联机：速度O(ms)、容量O(GB ) ? O(TB) ◆ 脱机：速度O(s)、容量O(海量) 其它功能的存储器 控存CM：存储微程序代码 为加快处理而设置的表格存储器(倒数表、函数表) 显示输出设备中的字符库和数据缓冲存储器(显存);按存储器的存储方式分 随机访问存储器(RAM) 存储器的任意单元都可随时访问且访问所需时间都是相同的 访问时间与存储单元所处的物理位置无关 速度快(ns) 内存 注：原意主要强调地址译码时间相同。现在的DRAM芯片采用行缓冲，因而可能因为位置不同而使访问时间有所差别。 只读存储器(ROM) 正常工作时只读，能随机读出，不能随机写入 MROM：只读 PROM：一次写 可多次改写ROM：EPROM、E2PROM 相联存储器(CAM) 按内容检索到存储位置进行读写 速度快(ns)，价格高 快表;按存储器中信息的可保存性分 断电后是否丢失数据 挥发性存储器(易失性存储器) ◆ 特点：断电后，信息即丢失 ◆ SRAM 非挥发性存储器(非易失性/永久性存储器) ◆ 特点：断电后，信息不丢失 ◆ ROM、磁盘 读出后是否保持数据 破坏性存储器 ◆ 特点：读出时，原存信息被破坏，需重写 ◆ DRAM 非破坏性存储器 ◆ 特点：读出时，原存信息不被破坏 ◆ SRAM;内存的主要性能指标 ;（1）存储容量 内存所能容纳的二进制位(bit)个数的总和，即构成内存的存储位元的总和 常用单位：B、KB、MB、GB、TB 存储容量=存储单元个数×每个存储单元的存储位元个数 一般地，内存的存储容量越大越好;（2）存取时间TA与存储周期TM(单位：ns) TA：启动一次存储器操作到完成该操作所用时间 写：从启动到将MBR内容写入指定存储单元的时间 读：从启动读命令到读出的数据送MBR所需的时间 亦称访问时间，是反映存储器速度的指标，决定了CPU发出读/写命令后必须等待的时间 TM：连续两次启动同一存储器进行存取操作所需的最小时间间隔，亦称存取周期或访问周期 两次启动包括：两次读，两次写，一次读或一次写 TATM ：TA、TM的差别依赖于存储信息的器件和电路，存储介质和控制线路需要恢复时间 破坏性读出须重写；非破坏性读出不须重写;存储容量和速度的单位;（3） 存储带宽;内存与外存的关系及比较;主存是CPU可直接访问的存储器，用于存放供CPU处理的指令和数据;内存储器的分类及应用;存储矩阵由若干存储单元构成 每个存储单元由多个存储位元构成 一个存储单元对应唯一的物理地址 一个存储单元包含的存储位元个数是字节的整数倍，通常称为计算机字长;半导体RAM存储位元电路 记忆原理 触发器：互补的两个状态 电容：充放电 晶体管：导通与截止 位元电路与存储器 存储位元 ? 存储单元 ? 存储矩阵 ? 存储芯片(译码、驱动、读/写电路) ? 存储模块(内存条) ? 存储器 ;RAM位元电路 原理：触发器和电容 要求：了解工作原理 实现电路 MOS静态存储位元电路 ? SRAM MOS动态存储位元电路 ? DRAM;SRAM Cell;单管动态MOS电路;字片式存储体阵列组织;SRAM (for Demonstration only);位片式存储体阵列组织;如何找到存储单元？ 选址是关键部件 译码方法直接影响到存储器的组织与结构 选址方法 线选法二维存储矩阵 重合法三维存储矩阵;0,0;;Row decoder;;两种选址方法比较 线选法的选择线较多，重合法的选