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基本理论----微带线 在频率较低时,波长远大于基片厚度,在导体带下面的介质基片中集中了信号的主要能量,此区域横向场分量较强,而纵向场分量很弱,沿微带传输线的主模与 TEM 模分布很相近,称为准 TEM 模; 当频率较高时,微带宽度 w 和高度 h 与波长可相比拟时,横向谐振模就可能出现在微带中,该横向谐振模为波导型的. 微带线是微波集成电路中一种应用非常广泛平面传输线。它便于加工,重复性好,而且容易与其他无源和有源的微波器件集成,使微波设备易于实现小型化和固态化,并能使整机性能得到提高。然而,微带线功率容量较低,除此之外还存在损耗随着频率升高而显著增加、表面波在沿介质基片传输方向极易被激励而造成在弯曲和不连续处产生辐射等不足。频率增加的同时,尺寸的缩小会对加工精度控制产生影响。 * 基本理论----微带线的损耗 名称 含义 介质损耗 当介质置于电场中时,介质晶格来回碰撞、分子交替极化引起的热损耗。选择性能优良的介质如石英、蓝宝石、氧化铝陶瓷等作为基片材料,可以有效降低介质损耗。 导体损耗 有限的电导率使得微带线的导体带条和接地板在电流通过引起的热损耗就是导体损耗。高频时的趋肤效应由于减小了微带导体的有效面积,使这部分损耗更大。由于微带线横截面尺寸远小于波导和同轴线,这使得导体损耗成为了微带线损耗的主要部分。 辐射损耗 微带线的半开放性会引起辐射损耗。微带横截面尺寸较小时,这部分损耗很小,一般只在不均匀点辐射损耗较为显著。将微带电路装在金属屏蔽盒中,可以有效降低辐射,减小衰减,并防止对其他电路的产生影响。 介质损耗和导体损耗是微带线的主要损耗 * 基本理论----微带线的不连续性 典型不连续性结构 微带线上的不连续性会引起能量的存储和反射波,对电路可能会引起频率偏移、输入输出电压驻波比变差、宽带电路增益起伏较大等问题。工作频率越高,这种不连续的影响就越严重,在设计的最后阶段,必须对不连续性加以考虑,或对其进行补偿. * 基本理论----检波器 检波器的作用 简化的检波器电路 传统检波器主要可以分为前端匹配滤波电路、检波二极管、后端匹配滤波电路三个部分 * 基本理论----检波器中的检波二极管 肖特基二极管 V-I 特性与等效交流电路模型 对于小信号的整流,只有二次项有意义,从而称该二极管工作在平方律区域,即输出电流与射频输入电压的平方成正比。当 V 升高到一定程度时,式中的四次项将不能忽略,二极管的响应已在平方律检波区之外,其特性按准平方律整流, 这段区域称为过渡区。V 继续升高,二极管响应特性就进入线性检波区。? * 基本理论----检波器分类 * 微带带通滤波器设计 平行耦合双线是微带滤波器设计中经常使用的一种结构,它设计简单,同时也可以获得一定的带宽。但是要用这种平行耦合双线结构来实现带宽更宽的滤波器时,耦合双线的线间距就成为一个制约因素。带宽越宽,则必须通过减小线间距来增强耦合。然而,一般实验室化学蚀刻能实现的最小线间距大约在 5mil 或0.13mm。 除了采用减小线间距来增加耦合度以外,还可以在输入馈线另一侧增加第三根耦合微带线,这样就在增加耦合度的同时降低对线间距的要求。典型的三线耦合结构如图 3.11 所示。如果将三线耦合结构视为一个六端口网络,则该结构可以等 效为一个导纳变换器。 * 微带带通滤波器设计----原理仿真 ADS 仿真 * 微带带通滤波器设计----CST\HFSS仿真 CST 模型 HFSS 模型 CST 仿真结果 HFSS 仿真结果 该模型在 CST、HFSS 仿真时通带内起伏较大,优 化仿真发现将三个单元的下端适当延长有助于性能改善 * 微带带通滤波器设计----实测 在 6.1~13.6GHz 的通带内,插损约 3dB; 原因分析:带通滤波器输入输出引出线较窄,转接头芯宽度约 1.2mm,焊点影响可能较大;微带板上表面焊接了转接头的芯,而下表面是两个转接头接地腿焊接,上下表面受力不均匀,可能造成了微带板的变形。 * 微带带通滤波器设计----改进 针对引出线太细太短的问题,将带通滤波器引出线尺寸改进,其模型和仿真结果如图: * 针对上下表面受力不均匀的问题,将上表面导线附近留出覆铜,并在其上用接地孔与下表面地相连,这样就可以在上表面焊接转接头接地腿,使微带板受力更为均匀。 微带带通滤波器设计----改进 改进后的带通滤波器 3dB 通带为 5.6~13.8GHz,相对带宽约 为 84%,在 9.7GHz 时的插损约为 1dB,比仿真结果略偏大,其原因可能是微带板介质损耗和色散效应,该带通滤波器基本满足检波器输入端滤波器性能要求 * 宽阻带低通滤波器设计 检波器后端的低通滤波器,主要目的是滤掉前端耦合的高
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