第三章 场效应管放大电路.pptVIP

IDQ 一、分压式偏置 3.4.2 场效应管的直流偏置电路 IDQ 一、分压式偏置 3.4.2 场效应管的直流偏置电路 该电路产生的栅源电压可正可负，所以适用于所有的场效应管电路。但是对结型管必须保证gs间反偏。 管子状态的分析过程与三极管类似，即先假定管子处于饱和（恒流）状态并展开分析看结果是否一致。 对不同类型的管子，处于饱和状态时 N沟道增强型 N沟道耗尽型 N沟道结型 P沟道型管 电源电压应为负值。 VGS可为正、负或0，但必须 一、分压式偏置 3.4.2 场效应管的直流偏置电路 二、自偏压电路 VGSQ =- IDQR 已知 VGS(off) 及IDSS,由 注意：1、该电路只适用于VGS=0时就有沟道的管子； 2、该电路只能产生负的栅源电压，所以只能用于需要负栅源电压的耗尽型管。 vGS 可解出Q点的VGSQ 、 IDQ 、 VDSQ 3.4.2 场效应管的直流偏置电路 3.4.3 场效应管基本放大电路 第四节 场效应管放大电路 一、基本共源放大电路 s RS 2、输入电阻 3、输出电阻 忽略 rds, rgs则 由于rgs=∞，则 1、电压放大倍数 3.4.3 场效应管基本放大电路 一、基本共源放大电路 接有负载时应为R′L=RL//Rd 3.4.3 场效应管基本放大电路 一、基本共源放大电路 与共射电路的比较 二、共栅放大电路 ＋ － 3.4.3 场效应管基本放大电路 三、共漏放大电路 3.4.3 场效应管基本放大电路 RS 1、中频小信号模型 三、共漏放大电路 3.4.3 场效应管基本放大电路 RS 2、电压增益 3、输入电阻 可知 三、共漏放大电路 3.4.3 场效应管基本放大电路 RS 所以 由图有 4、输出电阻 3.4.3 场效应管基本放大电路 三、共漏放大电路 RS 3.4.3 场效应管基本放大电路 三、共漏放大电路 3.4.4 场效应管有源电阻及电流源电路 第四节 场效应管放大电路 一、MOS管有源电阻 1、增强型MOS管有源电阻 3.4.4 场效应管有源电阻及电流源电路 第四节 场效应管放大电路 一、MOS管有源电阻 2、耗尽型MOS管有源电阻 也可用P沟道管构成类似电阻。 T2管的 ，保证其工作在饱和区 二、基本电流源 3.4.4 场效应管有源电阻及电流源电路 设 忽略沟道长度调制效应后( ) 则有 若两管参数对称则为镜像电流源，否则为比例电流源. 二、基本电流源 3.4.4 场效应管有源电阻及电流源电路 为了提高集成度，通常用有源电阻代替一般电阻 二、基本电流源 3.4.4 场效应管有源电阻及电流源电路 三管均工作在饱和区 具有很高的输出电阻 由于串联电流源和威尔逊电流源在输出回路中串联有两个MOS管且要求两管均工作于饱和区，从而在电源电压一定的情况下，减小了输出端电压的变化范围。 三、威尔逊电流源 3.4.4 场效应管有源电阻及电流源电路 放大管与负载管均为增强型MOS管的放大电路称为E/E型放大电路。 一、NMOS管共源（E/E)型放大电路 NMOS 3.4.5 场效应管有源负载放大电路 以增强型MOS管(称为E管)作为放大管，耗尽型MOS管(称为D管)作为负载管的放大电路称为E/D放大电路。 二、NMOS管共源（E/D)型放大电路 3.4.5 场效应管有源负载放大电路 三、CMOS共源放大电路 CMOS 3.4.5 场效应管有源负载放大电路 四、CMOS共源放大电路 vi D Rs vs VGG 当两管参数一致时， 增益加倍。 3.4.5 场效应管有源负载放大电路 vs上升，| vGS1 |也上升，而| vGS2 | 下降。 则iD1上升， iD2 下降 场效应管差分放大电路的形式、基本特性及分析方法与BJT差放一样。 场效应管差放具有输入电阻大、输入电流小、输入线性范围大等优点。 场效应管差放通常也有微变增益低、偏差失调大的缺点 3.4.6 场效应管差分放大电路 第四节 场效应管放大电路 一、MOS管基本差分放大电路 交流通路 电路结构 3.4.6 场效应管差分放大电路 1、差模微变增益 一、MOS管基本差分放大电路 3.4.6 场效应管差分放大电路 MOS管差放的传输特性与三极管类似。 其非限幅区范围比双极型三极管差放宽许多。 2、差模传输特性 3.4.6 场效应管差分放大电路 一、MOS管基本差分放大电路 3.1.2 耗尽型MOS场效应管 沟道变窄。 一、基本工作原理 ：夹断电压 沟道被夹断 3.1.2 耗尽型MOS场效应管 一、基本工作原理 也会产生预夹断和漏极电流饱和的情况。 且