单晶Tm高k栅介质漏电流输运机制研究.PDF

年增刊 ( )卷 318 2012 Ⅱ 43 单晶 高 栅介质漏电流输运机制研究∗ TmO k 2 3 , , 12 2 23 3 2 1 , , , , , 杨晓峰 谭永胜 方泽波 冀 婷 汪建军 陈太红 　 ( , ; 1.西华师范大学 物理与电子信息学院 四川 南充 637002 , ; , ) 2.绍兴文理学院 数理信息学院 浙江 绍兴 3120003.复旦大学 应用表面物理国家重点实验室 上海 200433 : ( ) 。 , 摘 要 利用分子束外延技术在 型 衬底上 意义 然而 目前对于单晶 高 栅介质的漏 　 　 p Si001 Tm O k 2 3 , 。 外延生长了单晶 高 栅介质薄膜 分别在不 电流输运机制的研究还未见报道 Tm O k 2 3 。 同温度下测量了薄膜的电流 电压特性 基于变温电 本文在不同温度下测量了单晶 薄膜的电 - Tm O 2 3 , ( ) , 流 电压特性数据的漏电流输运机制分析表明 单晶 流 电压 特性 并通过对不同温度 数据的拟 - - I-V I-V , 。 , Tm O 栅介质薄膜在正偏压下的主要漏电流输运机 合 系统地分析了薄膜的漏电流输运机制 结果表明 2 3 , , 制为肖特基发射 而在负偏压下的主要漏电流输运机 在 300~500K的温度下 肖特基发射和 Frenkel-Poole 制为 发射。 ( )发射分别主导着 / / 结构在正偏压下 Frenk