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实例1 无电阻 实例1 实例2 无RC uA级的控制电流 无431 实例2 * IB, IC01, IC02, IC03, ICOFF vary with design and input voltage. Although this appears complex in reality the operation is transparent to the designer. * Note these are static picture not video! 六级能效及其解决方案CMG(日月随风) 充电器及适配器的几个能效标准 以前执行能效标准: EPA2.0: 五级能效 新能效标准: DoE IV: 六级能效(DoE =Department of Energy 美国能源部, 2016年强制执行) CoC V5: 欧盟CoC节能指令( CoC =Code of Conduct,Tier1, 2014年生效,Tier2,2016年生效,自愿执行) 六级能效的挑战: DoE vs EPA2.0 ( 6级 vs 5级) /epa2.0.htm 在线工具: 5V/1A 12V/1A +0.609 +0.67 六级能效的挑战: DoE vs EPA2.0 ( 6级 vs 5级) 低压大电流电源: Vo6V, Io0.55A为低压大电流电源,公式有所不同。 DoE vs CoC , Vo6V DoE- STD CoC-STD-Tier 1 CoC-STD -Tier 2 DoE vs CoC, Vo6V DoE- LV CoC-LV-Tier 1 CoC-LV -Tier 2 空载功耗 DoE: CoC: 如何提高平均效率 主要方法 随负载减小降低开关频率 次级采用同步整流 次要方法 用Ae值更大的变压器 用适当内阻的MOSFET 降频模式提高轻载效率 四个分立模式可以在整个负载范围内实现最高效率 全频模式 高负载条件下以固定频率(132 kHz)PWM方式工作 变频模式 中等负载条件下进行以固定电流限流点(55%)变频方式工作 低频模式 轻负载条件下以固定频率(30 kHz)PWM方式工作 多周期调制 待机和空载条件下以固定频率(30 kHz)、固定峰值电流和多周期进行调制 视频演示 不同负载下的效率 20.5 W 效率:80.8% 10.8 W 效率:83.7% 6.25 W 效率:85.7% 0.86 W 效率:83.3% Embargoed until November 11, 2014 同步整流提高效率 SR gate voltage Secondary current Primary current SR ON SR ON SR ON SR ON SR OFF SR OFF SR OFF SR OFF 非连续方式 (DCM) 连续方式(CCM) 初级MOS关断后150ns次级同步MOS导通 (DCM 和 CCM) 次级电流接近于0时同步MOS关闭(DCM) 初级MOS导通前150 ns 次级同步整流MOS关闭(CCM) ON ON ON ON ON 5V/4A例子 提高效率的次要方法 初级用适当大的MOSFET, 次级用大号肖特基或适当的MOSFET 大号变压器降低线损,三明治绕线降低漏感 一个典型电源 待机功耗的分类 与开关工作无关的损耗 1)无功电流造成的损耗 2)启动损耗 与开关工作有关的损耗 嵌位电路损耗 供电绕组电容损耗 变压器分布电容引起的损耗 MOSFET电容引起的损耗 控制部分的损耗 输入部分的损耗 无功电流造成RT的损耗 交流电压造成R18,19的损耗 脉冲电流造成T内阻的损耗加大 电流有效值低T损耗比原来低 启动损耗 电源工作后此部分损耗继续存在 恒流启动,启动完后关闭启动电路 用MOSFET或JFET效果更好 与开关工作有关的损耗 电源IC要有降频功能才能降低待机功耗 尽量降低空载时电路的消耗是问题的本质 空载时需要传递的功率 此时效率很低 嵌位电路的损耗 由于有电阻存在,每次开关都会产生损耗 C29电压保持,最高200V,没有放电回路,没有放电损耗。R C的主要作用在于降低EMI 嵌位电路的损耗 RCD嵌位能量损耗掉 TVS嵌位,电压保持无损耗 嵌位电路的损耗 尽量让每次开关的能量送到次级 此处电压达到反射电压后能量才开始送到次级 供电绕组的损耗 IC消耗的电流是一定的,在保证不触发欠压保护的前提下尽量降低供电电压 高频电容对降低损耗有利 变压器的损耗 由于待机时有效工作频率很低,并且一般限流点很小,磁通变化小,磁心损耗很小,对待机影响不大 但绕组的影响不可忽略 变压器绕组引起的损耗 层间分布电容 开通时通过MOS放电 变压器绕组引起的损耗
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