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隔离式栅极驱动器揭秘
作者：Sanket Sapre
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摘要 如果V V ，则Q 导通，可以传导电流。当IO 输出高电平时，Q
DD THQ2 2 1 1
导通，C 通过Q 放电。V ~ 0 V ，使得V V ，因此Q 关断。
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机 GQ2 1 DSQ1 GSQ2 THQ2 2
这种设置的一个问题是Q 导通状态下R 的功耗。为了解决此问
驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控 1 1
题，pMOSFET Q 可以作为上拉器件，其以与Q 互补的方式工作，如
制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT ，它们被称 3 1
图1b所示。PMOS具有较低导通电阻和非常高的关断电阻，驱动电
为集电极和发射极。为了操作MOSFET/IGBT ，通常须将一个电压施
路中的功耗大大降低。为在栅极转换期间控制边沿速率，Q 的漏
加于栅极（参考器件的源极/发射极）。专用驱动器被用来向功率 1
极和Q 的栅极之间外加一个小电阻。使用MOSFET的另一个优点是
器件的栅极施加电压并提供驱动电流。本文讨论栅极驱动器是什 2
其易于在裸片上制作，而制作电阻则相对较难。这种驱动功率开
么，为何需要栅极驱动器，以及如何定义其基本参数，如时序、
关栅极的独特接口可以单片IC的形式创建，该IC接受逻辑电平电压
驱动强度和隔离度。
并产生更高的功率输出。此栅极驱动器IC几乎总是会有其他内部
需要栅极驱动器 电路来实现更多功能，但它主要用作功率放大器和电平转换器。
IGBT/功率MOSFET的结构使得栅极和源极/发射极之间形成一个非线
栅极驱动器的关键参数
性电容。给栅极电容充电会使
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