芯片与荧光粉波长匹配的控制对LED亮度的影响(赵强).docVIP

芯片与荧光粉波长匹配的控制对LED亮度的影响(赵强).doc

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芯片与荧光粉波长匹配的控制对LED亮度的影响(赵强).doc

Research Development 研发技术文献 芯片与荧光粉波长匹配的控制对LED亮度的影响 摘要:LED白光的发光机理包括了光致发光和电致发光两个部分,后道的封装工艺 及材料的搭配主要影响着其中的光致发光部分。在材料搭配过程中,芯片的波段与荧光 粉的最佳兀配影响着LED白光的光质量。木文试验分析了芯片波长对LED白光亮度的 影响极其控制。 关键字:芯片,荧光粉,波长,亮度… 关键字: 芯片, 荧光粉,波长,亮度… 一、 引言 物质发光现彖大致分为两类:一类是物质受热,产生热辐射而发光,另一类是物体 受激发吸收能量而跃迁至激发态(非稳定态)在反回到基态的过程中,以光的形式放岀 能量。以稀土化合物为基质和以稀土元素为激活剂的发光材料多屈于后一类,即稀土荧 光粉。稀土元素原子具有丰富的电子能级,因为稀土元素原子的电子构型中存在4f轨 道,为多种能级跃迁创造了条件,从而获得多种发光性能。稀土是一个巨大的发光材料 宝库,在人类开发的各种发光材料中,稀土元素发挥着非常重要的作用。 根据激发源的不同,稀土发光材料可分为光致发光(以紫外光或可见光激发)、阴 极射线发光(以电子束激发)、X射线发光(以X射线激发)以及电致发光(以电场激发) 材料等。 LED 口光发光机理包括了两部分: 光致发光(Photolumincsccncc):以光能作为激发源,以光子激发产生光子。 电致发光(ElcctTolumincsccncc):以电能作激发源。用电子激发产生光子。 二、 LED发光效率的提高跟荧光粉的发光原理 发光效率是光源把消耗的能量转换为视觉的能力。一般口光LED提高发光效率的主 要途径有: 1) 提高外延片的内量子效率和外量子效率,提高和改善芯片的外量子效率。 2) 提高封装材料的折射率将芯片发岀的光和二次激发产生的光有效的萃取岀来并高效 地导岀LED管体外。 3) 将低LED的热阻,降低器件的节温,增加芯片内部的量子限制效应,提高光子复合 得效率。 4) 选择高品质的荧光粉和更加均匀和涂敷工艺,使荧光粉能够更高效的被芯片激发, 提高荧光粉的激发效率。提高光通量,从而提高光效。 5) 选择优化封装工艺,找到芯片波长与荧光粉的最佳兀配。找到合适的技法波长,一 般来说,荧光粉的发射波长是一定的,但是,芯片的波长可以调整,再找到对应的 荧光粉波长,就可以大大优化和提高封装产品的亮度。 经过大量的实验证明荧光粉的选择和涂敷在其它封装条件相同的情况下光通量有10% -20%的差异。下面我们先来了解下荧光粉、发光原理、再来探讨荧光粉的选择和配制。 1 >荧光粉由主体晶格(host lattice H)与活化中心(activator, coA)构 成,有时还有辅助活化剂或称为增感剂。主体晶格:在激发过程中扮演传送能量的角色。 例如:Y3AI5Ol2: Ce呻的Y3AI5012o活化中心:可以活化主体晶格例如:Y3AI50l2: Ce‘中的 观Q QQ 一般说来,发光固体吸收了激活辐射的能量hv,发射出能量为hv的光 2、荧光粉的发光原理:以GaN基蓝光晶片为激发源激发荧光粉,产牛的激发态电 子直接以放光之形式回到电子基态 三、 荧光粉的选择 合理选择荧光粉颗粒大小、比重、形貌规则、辉度值、激发波长对LED的发光效率 和显色性有很大的影响: 1) 颗粒的大小肓接影响到发光效率。颗粒大的发光效率高,但很容易沉淀,工艺上难 控制颜色的一致性,一般用于高功率产品。 2) 比重越小越不易沉淀。 3) 在颗粒外形上,一般选择球型状的产品。 4) 辉度值越高越好。 5) 激发波长的兀配对亮度和显指有很大的影响。 四、 芯片波长与荧光粉的匹配 以YAG-04为例,其吸收波段为:430-490nm,发射波长:558nm (见表1)。图1 是其发射光谱图,图2是荧光粉的吸收和发射光谱图。 Materials Ce doped YAG Density 4.8 g/cm3 Particle Size D50(V)-13.0±2.0 pm CIE(1931) x-0.444, y=0.534 Emission Peak 558nm Excitation Range 430nm to 490nm 表1 Emission Spectrum 12G 100 4W500 SSO AM TOO 7S0 ran 4W 图1 图2 图2 分别用光功率Po=100mw的450nm和460nm的芯片激发该粉,有两种情况:1、两种芯 片的激发效率相等,假设为100%。根据下列公式可以计算出450nm和460nm在 Po=100mw的光功率时的光子数量和光子能量。 Eg - h v- he/ 人 式中力为普朗克常数6. 63X10-34 J?s, c为光速。 ①当芯片波长是450nni时,

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