纳米Dy2O3掺杂BCTZ压电陶瓷的电学性能.pdf

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2019-02-05 发布于天津
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纳米Dy2O3掺杂BCTZ压电陶瓷的电学性能

( ) 第卷第期常州大学学报自然科学版 29 4 Vol.29No.4 年月 ( ) 2017 7 JournalofChanzhouUniversit NaturalScienceEdition Jul.2017 g y 文章编号: ( ) 2095-0411201704-0013-06 纳米D O 掺杂BCTZ压电陶瓷的电学性能 2 3 y , , 陈智慧李志伟丁建宁 ( , ) 常州大学材料科学与工程学院江苏常州 213164 : , 。摘要采用共沸蒸馏沉淀法制备了平均粒径为 16nm 分散性良好的 D O 纳米粉体将纳米粉体按照 y 2 3 , ( ) ( ) , , 的比例掺入中在的温度下固相烧结得到 0.5% 1.0% Ba Ca Ti Zr O BCTZ 1480℃ 1490℃ 2h 0.85 0.15 0.9 0.1 3 ( ) ( )。 , 纳米 D O 掺杂的Ba Ca Ti Zr O无铅压电陶瓷 BCTZ-D XRD分析表明掺杂纳米 D O 没 y y y 2 3 0.85 0.15 0.9 0.1 3 2 3 。。有改变纯 BCTZ陶瓷的钙钛矿结构陶瓷的致密度均大于 93.66% BCTZ-Dy陶瓷的室温介电常数和介电 , , 损耗均随频率的增加而降低表现出明显的频率弥散现象和介电峰宽化的弥散相变特征表明该陶瓷样品为。 , 弛豫铁电体纳米 D O 的加入使 BCTZ的临界温度由95.18℃降低至 77.85℃ 同时使 BCTZ陶瓷的弛豫 y 2 3 性能降低。 : ; ; ; 关键词纳米 D O BCTZ介电压电性 y 2 3 中图分类号: ; 文献标志码: : / TM 28 TQ174