立方相ZnMgO的电学特性.pdf

Vol。28 第28卷璜毳 半导体学擐 Supplement CHINESE 2007年9月 JOURNALOFSEMICONDUCTORS Sep．，2007 立方相ZnMgO的电学特性* 金鬣芬1 吴惠棱k2’事 粱 军2 劳燕警2 余 萍1 徐天宁1 (1浙江大学物理系固体电子材料物理与器件实验筑，杭州310027) (2中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室，上海200050) 藏嚣内，分电常数由10．5降到6。4．遁过测试M心结构的厶y特性馥线，慰潺电流产生原因进纷了讨论与分析． 关键词：C—ZnMgO薄膜}MIS结构；介电常数#漏电性能 PACC：7360H；7340Q；7720 巾嚣分类每：TN304。2+l文献糖识鹦：A 文寒绩号：0253—4177(2007)SO-0167—04 2实验 1 善l言 宽带隙ZnO晶体薄膜(茁。=3．37eV)是具有在 树底上生长了C．ZnMgO，实验采用物理蒸发低温 可见光范匿内必学透过率高，易手在各种衬燕材耩 上生长，制备成本低廉，易掺杂，柔韧性好等诸多优 点的光电子半导体材料，它在微电予器件和光电子 器锋孛酶应蕉溉经受囊越来蘧多熬关注疆叫】。阉对， 枣誊底懿清洗方法按照RCA方法进行：越声波清洗 在ZnO中掺人一定含量的Mg元索可以得到具有 液中80℃下水浴15min以去除有机物，去离子水冲 六方相晶体结构、带隙比ZnO更宽的ZnMgO(H- ZnMgO)，它在可见光波段具有蹇透过率，褥在 ZnO中掺入高含量Mg则得到混晶相ZnMgO和 溶液去除Si衬底表面上的非常薄的一层Sio。，最后 纯立方相ZnMgO(C．ZnMgO)L5~9J．C-ZnMgO的 魇去寒子水冲洗干净，N。吹予，装入生长室．生长 謦隙隧Mg含量鳇太小夜5。0～7+7cV可变跚，这 一带隙宽度正好落在金属．氧化物-半导体(MOS)器 件的高介电常数(高k)栅绝缘层材料所要求的范围 内。照然C-ZnMgO的微缝构、光学特性等已蠢很多 物，去离子承冲洗干净，然看在H202：HCl：珏20 报道C7,10j，僵是关于其电学特性的报道很少。箍作为 宽带隙材料可能在微电子器件领域的应用(例如栅 极绝缘层)，获得它的介电常数、漏电特性等电学性 物，最后露用去离子水冲洗干净，N2吹干，装入生长 能都是菲常重要的． 塞。生长时褥底溢度傺持在250℃，沉积室王作气题 我们通过将C．ZnMgO材料做成金属一绝缘体一 MIS结构， 中的Mg组分为55％．然后在高真空下热蒸发方法 半导体(MIS)结构，即烈／C—ZnMgO／Si 泷积锯电极。鎏王隽薄貘层割西绪梅图．再对薄膜层 嚣薰越／C—ZnMgO／Si结构在各种不同条搏下的 进行光刻和湿法腐蚀，步骤如下：将At／C—ZnMgO／ c_y曲线，获褥了C．ZnMgO薄膜的介电常数以及 频谱特性．通过测量AI／C．ZnMgO／Si结构的^y 夔线获知C-ZnMgO薄貘的瀛电性貔。 醇超声清淡3次，震去离子东冲淡，N：吹平，敖入予 *国家自然辩学基窳(批准号和浙泌省自然科学慕金(批准号；2406092)资助项目 {通攘终