多晶硅锭定向凝固生长方法概述.pptVIP

定向凝固中的一些工艺参数 温度梯度(GL) 太阳能电池硅锭定向凝固的前提条件就是在固-液界面前沿建立必要的温度梯度，也就是要求GL 0，温度梯度的大小直接影响晶体生长速率和晶体质量。 将凝固速率当成热量在一维空间的传热，这里有热传导方程: 定向凝固中的一些工艺参数 设坩埚在横向是等截面，那么在公式(3)中: R为凝固速率; L为生长单位质量晶体所放出的结晶潜热; ρm为熔点附近熔体密度; λs和λL分别为晶体和熔体的导热系数; Gs和GL分别为固相和液相的温度梯度。 定向凝固中的一些工艺参数 设λs和λL为为常数，则在凝固速率R一定时， Gs和GL成正比。 通过增大Gs来增强固相的散热强度，是获得大GL的重要途径，同时，这样也会使凝固速率增大。 在实际定向凝固中常用提高固-液界面前沿的液相温度来达到提高GL的目的。 定向凝固中的一些工艺参数 但并非GL越大越好，熔体温度过高，会导致熔体挥发、分解以及受到污染，从而影响晶体的质量。而固相的温度梯度Gs过大，会使生长着的晶体产生很大的热应力，甚至是晶体开裂。 铸造多晶硅在生长时，生长系统必须很好地隔热，以便保持熔区温度的均匀性，没有较大的温度梯度出现;同时，保证在晶体部分凝固、熔体体积减小后，温度没有变化。 定向凝固中的一些工艺参数 凝固速率(R) 影响温度梯度的因素，除了热场本身的设计外，冷却速率起决定性的作用。 通常晶体的生长速率越快，生产效率越高，但其温度梯度也越大，最终导致热应力越大，而高的热应力会导致高密度的位错，严重影响材料的质量。 因此既要保持一定的晶体生长速率;又要保持尽量小的温度梯度，降低热应力并减少晶体中的缺陷。 定向凝固中的一些工艺参数 凝固速率(R) 通常，在晶体生长初期，晶体生长速率尽量的小，以使温度梯度尽量的小，来保证晶体以最小的缺陷密度生长; 然后，在可以保持晶体固-液界面平直和温度梯度尽量小的情况下，尽量的高速生长以提高生产效率。 铸造多晶硅 由于制造铸造多晶硅的原料主要为微电子工业剩下的头尾料，所以其体内的杂质含量很高。 其次，铸造过程中产生大量的应力，可能导致大量位错产生还有，采用这种工艺，坩埚只能用一次，生产成本增加。 铸造多晶硅中杂质的大致含量 3. Square multi-crystalline silicon ingots The ingot manufactured by the electromagnetic casting method is the largest silicon crystal for solar cells in the world with a length of 7,000 mm 冷坩埚连续定向熔铸多晶硅照片 8.5.4 多晶硅铸锭 多晶硅片加工流程及装备 多晶硅片加工的具体流程如下: 装料-熔化-定向生长-冷却凝固-Si锭出炉-破锭-多线切割-Si片清洗-包装。 多晶硅片加工的具体流程 8.5.4 多晶硅铸锭 所对应的装备有: 用于石英坩埚内喷涂氮化硅粉的喷涂设备 喷涂后烘干固化的坩埚烧结设备 多晶硅定向生长的多晶硅铸锭炉 将Si锭剖解成所需尺寸方形多晶硅柱的剖锭机 将Si柱切割成Si片的多线切割机 Si片清洗机等。 单晶和多晶制备方法的优劣比较 坩埚喷涂 坩埚喷涂 目的：在石英坩埚内壁表面进行氮化硅喷涂，防止在铸锭时硅液与坩埚壁直接接触发生粘连。 喷枪调试范围：氮化硅通过喷枪喷射宽度为4-6cm。 重新喷涂坩埚时，将有问题的坩埚放在加热器上，将坩埚的温度加热到40-50℃。 称取氮化硅粉末，通过100-200目尼龙纱网过滤氮化硅粉。 坩埚喷涂 检查坩埚→坩埚预热→配制氮化硅粉→加热纯水→搅拌氮化硅液体→喷涂作业 注意：穿好连体防护服，穿好鞋套，戴好纱布手套、乳胶手套、防护眼镜。 坩埚烧结前，需检查坩埚涂层的质量，是否有脱粉、裂纹等。 检查坩埚涂层→摆放坩埚→检查程序→启动烧结 烧结好的坩埚要尽快装料、投炉，烧结好的坩埚在炉子外的保存时间为≤6小时。 烧结程序结束后，待炉内温度降至100℃以下时，即可取出。 坩埚喷涂台 坩埚喷枪设备 坩埚烧结炉 多晶硅铸锭过程中出现的粘埚现象 在坩埚内壁涂Si3N4膜层。采用这种坩埚可以十分有效地降低来自坩埚杂质的玷污。 Kishore等研究了使用Si3N4涂层后氧、碳浓度的变化，发现多晶硅中的氧、碳浓度都降低了。同时，使用Si3N4涂层后熔液和坩埚内壁不粘结，这样既可以降低应力又能够多次使用坩埚，从而降低了成本。 8.5.4 多晶硅铸锭 1.装料:将清洗后的或免洗的Si料装入喷有氮化硅的涂层的石英坩埚内，整体放置在定向凝固块上，下炉罩上升与上炉罩合拢，抽真空，并通入氩气作为保护气体，炉内压力大致保持在4～6×104Pa左右; 2.加热:利用均布于四周