- 1、本文档共283页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
2) 应用区安全密码比较有效标志(Sn,n=1,2,3,4) 应用区安全密码比较有效标志都属于芯片内部的隐含标志(不可读出)。芯片的Sn标志在每次上电复位后的状态值为“0”。当输入的“应用n区密码”与原存储在SCn区里的“参照字”比较一致时,Sn被置“1”,否则仍保持为“0”。在一次有效加电过程中,Sn标志一旦被置“1”,将一直保持有效,直到芯片掉电。Sn与SV的作用基本相同,区别在于:SV标志是控制整个存储器。包含各存储分区(标识区、控制区和应用区)在内。而Sn只控制相应的子分区部分。Sn与SV一样,在连续8次输入密码比较失败(即SnAC计数为“00H”值)后,Sn标志被锁死在“0”状态,并且不能再改变。 2.7 实训3:接触式逻辑加密卡的操作控制 1.实训目的 (1) 进一步理解和掌握SLE4442逻辑加密卡的操作时序。 (2) 掌握按操作时序编写和调试逻辑加密卡操作(读/写)控制程序的方法。 2.实训设备与器件 (1) 实训设备:通用接触式IC卡读写器及其DEMO软件,586电脑,5 V稳压电源,MCS-51系列单片机仿真系统。 (2) 实训器件:SLE4442卡,接触式IC卡卡座,PNP三极管9012,电阻10 kΩ×4 、1.2 kΩ ×1 ,40脚IC座。 (3) 实训电路:接触式逻辑加密卡接口电路如图2.35所示。其中除RST端接AT89C51的P1.2脚外,其他与接触式存储卡接口电路(参见实训2)完全相同,在此不再赘述。 图2.35 SLE4442接口电路原理图 3.实训步骤与要求 1) 实训准备 (1) 在实训2接口电路中加接RST端及其上拉电阻,用万用表测试电路,确认连接无误。 (2) 认真阅读所附的实训程序,对照时序(参见本节)进一步理解读主存储器、修改主存储器以及PSC校验功能的程序实现过程,以及所调用的各功能子程序COMMAND、OPERA、SHOUT、SHIN、RESET的程序实现方式。 2) 程序调试 (1) 利用接触式IC卡读写器查看并记录SLE4442卡的主存储器内容、错误计数器状态。 (2) 用万用表检查电路,确认连接正确。将MCS-51系列单片机仿真器的仿真头插入实验电路板上的40脚IC座。在MCS-51系列单片机仿真开发系统中打开并编译实训范例程序。在片内RAM(20H)单元中设置读卡主存储器的首地址(例如00H),在21H单元设置读卡主存储器的字节数(例如0FH),在写数据缓冲区设置数据,清零读数据缓冲区1、2,在程序标志处设置断点。 (3) 调试读主存储器程序。插卡运行程序,程序在断点①处暂停时记录读数据缓冲区1的内容,与步骤(1)的记录相比较,验证读主存储器程序是否正确。 (4) 调试PSC校验程序。继续运行程序,程序在断点②处暂停时,记录A累加器与R4寄存器内容,比较两者及步骤(1)记录的错误计数器值是否相同。 (5) 继续运行程序,调试写主存储器程序。程序在断点③处暂停时,记录读数据缓冲区2数据,验证是否正确写入(是否与写数据缓冲区一致)。当写入不正确时,可能的出错原因有哪些? 4.实训总结与分析 (1) 分析程序可以看到,各命令子程序均按照本节所述的命令时序编写。而所有命令的发送则按照命令的格式编写命令子程序COMMAND来实现,发送命令后处理模式及数据输出模式的实现则由OPERA和SHIN子程序完成。目前市面上的逻辑加密卡芯片多种多样,其操作规程并没有完全固定的标准,然而,其工作原理是类似的。学习SLE4442的读写控制技术,重在掌握其分析、开发方法,举一反三,其他类型的逻辑加密卡的操作控制,同样可以根据其命令格式、操作时序编程实现。 读加密存储器命令类似于读保护存储器,可以读出4B的加密存储器的内容。该命令的控制字为31H。在输出数据的模式下,所需时钟脉冲的数量为32。其后再附加一个时钟脉冲将I/O线置成高阻状态(Z状态)。如果可编程加密代码(PSC)的校验不成功,则“参照字”字节的输出被禁止,读保护存储器除第0个字节可读出外,I/O线总保持为低(L)状态(即“参照字”字节的输出总是“0”)。读加密存储器的时序见图2.31。 图2.31 读加密存储器的时序图 5) 修改主存储器(Update Main Memory) 修改主存储器命令格式如下: 修改主存储器命令根据所传送的字节数据,寻址主存储器的EEPROM字节,然后修改相应字节的内容。该命令的控制字为38H。在处理模式期间,根据新、旧数据,可能发生下列几种情况之一: ① 先擦除后写入:5 ms,相当于
文档评论(0)