材料的电学性能.pptVIP

电导率 材料的电子结构与光电导性 10.2.4 材料的介电性 介电损耗 介电性的应用 1977年， Heeger 、MacDiarmid 和白川英树、发现当聚乙炔薄膜用Cl2、Br2或I2蒸气氧化后，其电导率可提高几个数量级。通过改变催化剂的制备方法和取向，电导率可达105 S·cm－1。（Teflon为10－16 S·cm－1，Cu为108 S·cm－1 ）。 图 3 三维、二维和一维碳化合物材料 共轭 能带间隙随聚合物长度的增加而减小 掺杂 在聚合物上去掉或增加电子。 氧化掺杂（也称P型掺杂）用卤素掺杂 还原掺杂（也称n型掺杂）用碱金属进行： 载流子在共轭聚合物材料中的跃迁包含： 沿单一共轭体系的运动：阻力小或无 在共轭体系之间的跃迁：阻力大 聚乙炔，其掺杂的电导率大幅度提高，掺杂到6.67%时，能隙将消失。 聚乙炔链上的共轭缺陷（载流子） 阳离子自由基的产生和移动 聚乙炔异构化产生孤子及移动 导电聚合物电导率与温度的关系 理想情况下，导电聚合物具有金属导电性，且重量轻、易加工、材料来源广等特点 用作电极、电磁波屏蔽、抗静电材料等 半导体器件和发光器件方面得应用 聚合物电池、电致变色显示器、 电化学传感器、场效应管、 聚合物发光二极管（LED） 导电聚合物的应用 （3）半导体 Semiconductors 本征半导体 Intrinsic semiconductors 载流子：自由电子，n, 负电荷 空穴，hole p, 正电荷 carrier 杂质半导体 extrinsic semiconductor n型半导体 n-TYPE EXTRINSIC SEMICONDUCTION 在Si、Ge等四价元素中掺入少量五价元素P、Sb、Bi、As 在导带附近形成掺杂的能级 电子型导电 p型半导体 p-TYPE EXTRINSIC SEMICONDUCTION 在四价的Si、Ge等四价元素中掺入B、Al、Sc、Y，在四价带附近形成掺杂的能级 空穴型导电 半导体的电导率与温度的关系 热激发 分子轨道理论 受激态可能的形式 π，π* 状态 n，π* 状态， 含有N、O或S CT 状态——电荷转移受激态 电子给体基团（如一NH2，一0H）及受体基（＞C=0，一N02）之间发生电荷转移 材料的电子结构与光电导性 photo-electrical (1)分子受激过程与能量交换 光电流激活能 ΔE＝EJ－EI＝hv 两种构型: 单重态\三重态 2． （2）光生载流子机理 10.2.3 材料的超导电性 1、 超导电性- (superconductivity) ——在一定低温下材料突然失去电阻的现象 （小于10-25Ω·cm） 液氦，超导现象发现 诺贝尔物理奖获得者 1913年 Heike Kamerlingh Onnes the Netherlands Leiden University Leiden, the Netherlands b. 1853d. 1926 汞，4.2 K ????????????????????????????????????????????? J. Georg Bednorz 1/2 of the prize Federal Republic of Germany IBM Research Laboratory b. 1950 在陶瓷（金属氧化物）中发现超导现象，超导研究取得重大突破, 诺贝尔物理奖获得者 1987年 K. Alexander Muller 1/2 of the prize Switzerland R黶chlikon,Switzerland b. 1927 超导电性的金属和合金 Tc ＜30 K 钛、钒、锆、铌、钼、钽、钨、铼、铋、铝、锡、镉等28种。 二元合金NbTi，Tc＝8～10K； NbZr，Tc≈10～11K。三元系合金有铌-钛-锆，Tc=10 K；铌-钛-钽，Tc=9～10K。 超导化合物 Nb3Sn，Tc=18～18．5K； Nb3Ge，Tc≈23．2K，Nb3（AlGe），Tc≈20．7K等 超导电性的金属氧化物 1960‘s Ba-Y-Cu-O系，35K, 1986, Bednorz,