退火条件对ZnO薄膜结构和光学性能的影响.pdf

第 19 卷第2 期 江　苏　工　业　学　院　学　报 Vol.19 N o.2 2007 年6 月 JO URNA L OF J IANGSU POLY TECHN IC U NIV ERSIT Y Jun.2007 文章编号:167 3-9620 (2007)02-0004-03 退火条件对ZnO 薄膜结构和光学性能的影 范利宁, 袁宁一, 李金华 (江苏工业学院功能材料实验室, 江苏 常州 213164) 摘要:采用溶胶-凝胶法在单晶硅S (100)衬底上制备了Z nO 薄膜, 研究了退火温度对ZnO 结构和光学性能的影 。 实验发 现, 退火可以明显地改善ZnO 薄膜的结构和光学性能。 随着退火温度的升高, ZnO 薄膜的晶粒增大, 同时在室温下观察到明显 的紫外发光现象, 其紫外P L 谱峰值变强, 并有红移现象。 关键词:Z nO 薄膜;溶胶-凝胶法;光学性能;退火温度 中图分类号:T B 43;O 552.6 　　　　文献标识码:A Influence of Annealing Temperature on Structure and Optical Properties of Zinc Oxide Films FA N L -n ng , Y UAN N ng-y , L I J n-hua (F unct onal Mater als L aboratory , J angsu Poly techn c Un verst y, Changzhou 213 164, Ch na) Abstract:Z nO f lms w ere fabr cated by Sol-Gel method o n (00 1)S substrates.T he nfluence of anneal ng temperature on structure and opt cal propert es of Z nO f lms w as nvest g ated.A nneal ng could mprove crystal- l zat on and opt cal propert es of Z nO f lms ev dently .W t h the anneal ng temperature ncreas ng, the gra n s ze became larger and ultrav olet em ss o n w as observed at room temperature .Wh le anneal ng temperature was h gher, P L peak was st ronger and had a l ttle red sh f t . Key words:Z nO f lms;sol-gel method ;opt cal propert es;anneal ng temperature 　　ZnO 是一种Ⅱ-Ⅵ族氧化物半导体, 室温下 [ 2] 泵浦紫外激光发射 , Z nO 成为继GaN 之后新的 禁带宽度约为3.37 eV, 是典型的直接带隙宽带半 短波长半导体材料的研究热点。 导体。具有优异的光学和电学性能, 结晶质量好的 目前, 许多薄膜制备技术都可以用于ZnO 薄 Z nO 薄膜具有 c 轴择优生长, 可见光透射率高达 [3] [4] 膜的生长。