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电子产业技术 一、研究开发技术目录 (一)0.3～0.4微米大规模集成电路技术 集成电路工业作为当今世界的一种战略工业，已成为大国地位的一个重要标志。 随着微细加工技术的不断发展，集成电路和线条宽度不断缩小，集成度和性能价 格比不断提高。0.3～0.4微米集成电路是继0.5微米以后的新一代超大规模集 成电路，其集成度、速度、性能价格比等均得到明显提高。 0.3～0.4微米集成电路关键技术是0.3～0.4微米细线条光刻及刻蚀技术、0.3～ 0.4微米集成电路生产设备的开发技术、亚微米和深亚微米VLSI电路设计技术。 我国在该领域的研究开发基础相当薄弱，与国际水平相比差距很大，需加大投资 力度，组织力量，研制0.3～0.4微米集成电路全套制备工艺技术，开发亚微米 VLSI设计技术。 国内外从事该技术研究开发的单位很多，国外几乎所有大的集成电路公司、研究 所、高校等均从事该技术的研究，著名的有英特尔、IBM、摩托罗拉、西门子、 东芝、伯克莱大学、三星电子等厂商，该技术在国外已逐步走向大规模生产。国 内有清华大学微电子所，北京大学微电子所，华晶集团中央研究所，中科院微电 子中心等。预计我国集成电路产业将于2000年前采用0.3～0.4微米集成电路工 艺进行大规模生产。1996年世界半导体总产值为1460亿美元，预计到2000年 可达2000亿美元。预计2000年我国集成电路市场规模为40亿块，600━800亿 元。 (二)新型元器件 1、新型表面贴装元器件技术 表面贴装元器件(片式元器件)是适用于表面贴装工艺的新一代无引线电子元器 件，其应用标志一个国家电子工业的组装水平，是电子装备更新换代的基础，已 成为当今世界电子元器件发展的主流。表面贴装元器件主要有片式电阻、片式电 感、片式电容、片式电位器和片式IC等，广泛应用于通信、计算机和广播电视 产品中。其关键技术有：窄间距、高引出端的封装结构技术；低温共烧多层陶瓷 基板技术(LTCC)；新型表面贴装元器件的贴装技术；浆料生产技术。 我国片式元器件产业是在八十年代彩电国产化的推动下发展起来的。到目前为止 共引进了30多条生产线，年设计生产能力约100亿只。已能规模生产0805尺寸 规格以下的中低频和部份高频片式陶瓷电容器及电阻器，其关键材料如陶瓷基 板、电子浆料等主要依靠进口。 1 目前世界上发达国家电子元器件的片式化率已高达70％，全世界平均亦在40％， 估计1995年全世界片式元器件产量约为2500亿只，预计2000年全世界片式元 器件市场约6000亿只。而我国1995年产量约50亿只，片式化率不到10％。 2、新型光电子器件技术 新型光电子器件是新一代高性能光电子器件。在光信息传输领域，主要产品有高 速宽带半导体激光器、光电二极管检测器、光电子集成单片发射与接收机，高速 光波导调制器和开关；在光图象信息采集领域，重点是高清晰图像传感器，高速 CCD图像传感器，高分辨率红外焦平面阵列，无致冷与多量子阱等新型焦平面阵 列器件；在信息贮存领域内，重点是兰 绿光激光器。 新型光电子器件取决于系列先进工艺技术的进步和应用。美、日、英、法等国八 十年代在研究领域采用亚微米微细加工技术和超薄层外延生长技术(MBE MOCVD 等)，开发出以量子阱结构为代表的新一代光电子器件。目前美国贝尔实验室的 高速激光器研制水平达25GHZ，美、日研制出450～500nm的兰绿光器件，美国 32×32元垂直腔表面发射激光器(VCSEL)研制成功，日本公司的多量子阱超晶格 APD增益带宽乘积达到100GHZ以上，波导型PIN光电二极管响应带宽乘积达到 110GHZ，用于光通信的光波导调制器，研制水平达40GHZ。光电子集成发射和接 收机响应频带已达到5～8GHZ，其中接收机带宽达10GHZ，还开发出4～8路的单 片集成多路发射和接收机。在图像传感器方面，美、加的大面阵Si材料可见光 CCD5120×5120研制成功。 国内由于技术方面的原因，在研究的深度、广度、以及器件种类和参数和国际水 平差距达12～15年，主要的新型光电子器件均未取得技术突破。 新型光电子器件的主要研制单位有美国、日本、法国、英国等几十家公司，国外 光电子器件市场产值已达数十亿美元，国内光电子器件仍未形成规模化生产，绝 大部分市场由外来品占据，产值不足世界产值的千分之一，市场前景广阔。 3、新型