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微测热辐射计氧化钒薄膜工艺研究

Vo1.22,No.6 · ~22 fir~6M 红 外 与毫 米 波 学 报 Vol. 22. No.6 第22卷第6期 U 7~ ~ • * flt ~ * December,2003 December .2003 J. Infrared MiIlim. Waves 2003 F 12 JI J.Infrared Millim.Waves 2003年 12月 微测热辐射计氧化钒薄膜工艺研究 if *0 It~2) =iY~1)rl) 许 炅 崔敬忠 贺德衍 ( 兰州大学物理科学技术学院,甘肃,兰州,730000; (I) ~jIi *~~lIf.4~tblc~~ .itPlt , ~jIi .730000; 2) ~jIi ~lIJiJf •itPlt •~jIi .7300(0) 兰州物理所,甘肃,兰州,730000) 摘要 用射频磁控反应溅射在石英玻璃和硅片上沉积氧化钒薄膜.利用X射线衍射,X射线光电子谱,原子力显微 .~ !IUt~~¥!litS.iltM1E1i~1Jt~f;!-iii it LjJiAf..$.1t~3f •. flJJij X M~1ifM.X M~ 7t It+it.~ +jJ £11 镜,分光光度计和电阻测量手段对沉积薄膜结构、形貌和性能进行了测试.结果表明,沉积薄膜的电阻温度系数大 it .7i-7t 7tlt itf;! It P.!l.}Jj • .f.#jJL~_.fa ¥1 ,J!¢~f;! Ii ~ *fT r ]JJ 1.j.. fa **n)j • jJL~ _. fi;J It P.!l.7Jllt ~ ~ * 于1.8%/~C,方块电阻为22~5kl-b/l--1. -r 1. 8%/CC •jj* ItP.!l.J.7 22 ±5k!VO. ~.1iJ $.1tl)l, _ ••lliJJ ~~Mit, It P.!l.7Alt~~· 关键词 氧化钒,薄膜,微测热辐射计,电阻温度系数. DEPoSITIoN PRoCESS STUDY oF VANADIUM oXIDE DEPOSITION PROCESS STUDY OF VANADIUM OXIDE Tm N FILMS FoR MICRoBoLoMETER THIN FILMS FOR MICROBOLOMETER l XU Min¨ CUI Jing—Zhong HE De—Yan) X

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