宽能隙P型氧化锌透明导电薄膜之研究成果报告精简版.PDF

寬能隙 P型氧化鋅透明導電薄膜 之研究成果報告(精簡版) 計畫主持人 :林天財 計畫參與人員 :劉晉宏 目錄 氧化鋅 (ZnO)基本特性表 P型材料開發困難的原因 P型ZnO 不同基板溫度所量測的XRD分析圖 製程參數與實驗結果表 結論 氧化鋅 (ZnO)基本特性表 P型材料開發困難的原因 低 P型原子溶解度，在適合的淺層受體原子的濃度(shallow acceptor)將遠低於施體原子的濃度(donor) 。 受體原子將誘發形成施體之錯誤位置，例如，將I價的原 子加入取代位置，也會使I價原子形成間隙原子成為施體 原子，抵銷電洞之釋出。 受體易被低的形成能之缺陷所補償，尤其是氧空缺 (Vo)及 間隙鋅 (Zn )於ZnO中。在 ZnO中 Vo及Zn 將是控制形成P或 i i N型半導體的主要因子。 形成AX及 DX複合物中心(complex center) ，受體傾向於Vo 及Zn 形成穩定的化合中心，類似受體原子之效應。 i P型ZnO 氮摻雜是目前製作 P型ZnO最有效受體原子 添加氮之 P型ZnO透明導電膜有高透光性、高導電 性、低電阻係數在100Ω-cm以下之薄膜。 不同基板溫度所量測的XRD分析圖(1/2) 在基板溫度150℃時 Zn N (400)最為明顯 3 2 基板溫度為250℃時，薄膜則呈現非晶結構，且在 數日後薄膜表面慢慢呈透明狀，猜測薄膜化學穩 定性極低。 改變製程基板溫度達 300℃時，並增加不同 DC偏 壓，發現也有 Zn N (400) 、Zn N (440)繞射峰產 3 2 3 2 生，在此條件成長的Zn N 薄膜穩定性佳，在大氣 3 2 中放置數週，鍍膜依然為黑色的 Zn3N2 ，無任何顏 色上的變化。 不同基板溫度所量測的XRD分析圖(2/2) 製程參數與實驗結果表 RF濺鍍功率 :90W 濺鍍時間 :30m RT基板溫度:150 °C 、200°C 、250°C 、300°C RT在300°C時施加 DC偏壓功率 300V 、350V 結論 發現薄膜經石英管型爐退火後表面隨時間增加而 脆化剝落 利用四點探針重複量測Zn N 片電阻結果發現，最 3 2 初其片電阻值為436kΩ/□，但其片電阻隨著時間 增加而增加。 經XRD結構分析顯示，Zn N在室溫下即可成長。 3 2 經霍爾電性量測分析，最佳電阻率為9.19Ω/cm 、 載子濃度為 1.1x1018cm-3 、載子遷移率為 5.56cm2/vs的 P型氧化鋅導電膜。