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- 2019-02-05 发布于湖北
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* * 深圳市华夏磁电子技术开发有限公司 磁电子学及其应用 2001年8月5日 今天与您分享什么? 一、巨磁电阻(GMR)效应来源及磁电子学的提出 二、GMR技术的核心技术 三、GMR技术应用领域及GMR磁传感器的应用 四、库万军博士海外留学的主要成果 五、项目提出的背景 六、立项的动机及意义 七、项目的主要历程及进展 八、GMR传感器应用的市场前景 九、愿与您携手共创未来 十、致谢 GMR效应的发现及 磁电子学的确立 1988年,法国巴黎大学,在纳米结构的层间反铁磁偶合的Fe(2nm)/Cr(0.9nm)多层膜中,发现电阻随外磁场而发生巨大变化的现象,此现象定义为巨磁电阻(GMR)效应。其物理机制是与传导电子自旋有关散射。 1995年,基于GMR研究而发展成为一门新型的学科---磁电子学。超导材料(CMR)和绝缘材料(TMR)。 GMR效应的来源 层间偶合多层膜GMR效应特性曲线 自旋阀(spin-valve)多层膜GMR 效应特性曲线 优越的GMR磁性薄膜 先进的集成电路设计 合理的半导体集成工艺 GMR技术的核心 GMR技术的应用 A. 计算机领域(硬盘驱动器作为读出磁头) 1998年,IBM. 2000年, 磁头市场占有率95%, 10亿美元/季度 B. 磁随机存储器 2001年,摩托罗拉及IBM公司. 1000
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