北京航空航天大学《电子电路i》习题课12章概念.pptVIP

北京航空航天大学202教研室 * 模拟电路习题课（一） 第一章 集成电路元、器件基础 二极管：特性，用途，交流直流电阻 三极管：特性曲线，工作区，电流间关系，微变等效模型 FET：各种类型的FET特性曲线，特性方程 二极管的伏安特性曲线： U I 死区电压 硅管0.6V,锗管0.2V。 导通压降: 硅管0.6~0.8V,锗管0.2~0.3V。 反向击穿电压VBR 二极管的电阻 直流等效电阻 RD： 交流（动态）电阻 rd： 共射（共E）BJT工作原理 以发射极（E极）作为公共端，EB结正偏，CB结反偏。 令： 则： β是共射BJT输出交流短路下的交流电流增益 共射BJT的伏安特性曲线 共射BJT的输出特性曲线 IC(mA ) 1 2 3 4 VCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中 : IB=0,IC=ICEO,VBE 死区电压，称为截止区。 1. 截止区 iE=0iB= -ICBO 集电结反偏发射结反偏 2. 击穿区 vCEV(BR)后，iC开始剧增的区域，iB=0对应的V(BR)为V(BR)CEO；iE=0对应的V(BR)为V(BR)CBO；V(BR)CBOV(BR)CEO。输出特性上的击穿都是集电结雪崩击穿。 参见 P12 图1.3.4 3. 饱和区 IC(mA ) 1 2 3 4 VCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中VCE?VBE,集电结正偏，?IBIC，VCE?0.3V称为饱和区。 vCEvBEvCB0 集电结正偏发射结正偏 VCE(sat)称为饱和压降硅管：0.4V ~0.8V锗管：0.1V ~0.3V IC(mA ) 1 2 3 4 VCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域满足IC≈?IB称为线性区（放大区）。 4. 放大区 当VCE大于一定的数值时，IC主要与IB有关，IC≈?IB。 iB0 vCE≥vBE 发射结合适正偏集电结反偏 混合π型等效电路及等效参数 小信号等效模型是在小信号条件下，描述BJT极间交流（动态）电压与电流关系的线性电路。 考虑沟道长度调制效应以后的JFET大信号特性方程： N沟道JFET： P沟道JFET： 上面两式适用于耗尽型JFET工作在恒流区。 第二章 模拟集成基本单元电路基础 直流交流通路分析方法 电流源：输出电流、输出电阻 三种组态放大电路：共射、共基、共集，共源、共栅、共漏 Ri, Ro, Av, 微变等效电路 差动放大器：（差模、共模）Rid, Rod, Avd, Ric, Roc, Acc, 乙类推挽放大器：工作原理，Po, Pe, 效率 直流通路通常的计算方法： 直流通路的计算主要用于确定半导体器件的工作点，从而为进一步的小信号分析提供依据。 一般来说，计算工作点是通过近似的方法得到的，通常可以近似（必须是在可以近似的条件下）的有： 二极管的PN结正向导通电压：0.6－0.7V 稳压管的两端的电压：稳压值 三极管的BE结正向导通电压：0.6－0.7V 三极管的Ib电流：忽略 三极管的Ie和Ic：近似相等 FET的栅级流入的电流：忽略 对于BJT，根据偏置（电阻和电流源）计算出三极管的Ic。 对于FET，根据偏置（Id, Vgs的传输方程）计算出Id, Vgs 微电流源 串接电流镜 比例电流源 威尔逊电流源 接入共集管的电流镜 基本电流镜 动态输出电阻 电流传输特性 主要镜像电流源 书P70 三种基本组态放大电路特性与分析 三种组态为：BJT的共射、共基、共集 FET的共源、共栅、共漏 Ri 共集 Av Ro p74 微变等效电路 共模 差模 共栅 共漏 共源 共基 共射 （带反馈Re） 共射 差放 FET BJT 共射小信号（微变）等效分析 输入电阻、输出电阻和增益 共射放大器的Ri一般比较大 电压放大倍数为负数（反向），一般比较大 共射放大器的Ro一般比较小 共集（射随器）的微变等效分析 共集放大器的Ri比共射大很多 电压放大倍数接近于1（小于1）因此称为射随器 共集放大器的Ro比共射的小很多 共基小信号（微变）等效分析 共基Ri比共射低很多，比较小 vo和vi同相，其值和共射放大器的Av相同 共基输出电阻大于rce，比较大 串接放大电路与达林顿组态 JFET 放大电路 对应存在