铸锭多晶硅的工艺流程.docVIP

... WORD格式可编辑版 铸锭多晶硅的工艺流程 铸锭多晶硅工艺和直拉单晶工艺都属于定向凝固过程，不过后者不需要籽晶。当硅料完全融化后，缓慢下降坩埚，通过热交换台进行热量交换，使硅熔液形成垂直的，上高下低的温度梯度，保证垂直方向散热，此温度梯度会使硅在锅底产生很多自发晶核，自下而上的结晶，同时要求固液界面水平，这些自发晶核开始长大，由下而上地生长，直到整锅熔体结晶完毕，定向凝固就完成了，当所有的硅都固化之后，铸块再经过退火，冷却等步骤最终生产出高质量的铸锭。冷却到规定温度后，开炉出锭。 铸锭多晶硅的优缺点 相对于直拉单晶来说，铸锭多晶硅有如下优点 1、备制造简单，容易实现全自动控制。 2、料比较广泛，可以利用直拉头尾料、集成电路的废片以及粒状硅料等，当然要将原工艺过程中的污染经过喷砂，腐蚀等手段清洗干净。 3、料量大，产量高，适合大规模生产。 4 、片大小可以随意选取i，例如690MM的方锭可以切成125MM的方锭25个，也可切成156MM的方锭16个等。铸锭溶晶生产大尺寸方片，但直拉法就难一些。 点晶体的熔 无论融化了已经变成的熔体，或尚未融化的固体都在处在同一个温度值，尽管继续加热，温度却始终保持不变，这个温度就是晶体的熔点。 单晶硅的导热性与方向有关。 多晶硅片上有很多的晶粒，晶粒之间有明显的晶界，由于晶向各不相同，呈现出深浅不同的色差。 直拉单晶炉的热系统及热场 1、热系统 直拉单晶炉的热系统是指为了融化硅料，并保持在一定温度下进行单晶生长的整个系统，它包括加热器、保温罩、保温盖、托碗（石墨坩埚）、电极等部件，它们是由耐高温的高纯石墨和碳毡材料加工而成的。 加热系统长期使用在高温下，所以要求石墨材质结构均匀致密、坚固、耐用，变形小，无空洞，气孔率24%，无裂纹，弯曲强度40~60Mpa,颗粒度0.02~0.05mm,体积密度1.70~1.80g/,灰分1（100ppm)，金属杂质含量少，一般检测值在%~%数量级。 加热器是热系统中最重要的部件，是直接的发热体，温度最高时达到1600以上，采用“等静压成型法”（CIP）生产的高纯石墨加工制作，形状为直筒式，每个半圆筒各为一组，纵向开缝分瓣，形成串联电阻：两组并联后形成串并联回路。 两组加在一起的总瓣膜数为4的整倍数，常用的有16、20、24活28瓣等。 石墨托碗分为上体和下体，上体又有单瓣（既只开一条缝）、两瓣合体（平分为二、两条缝）及三瓣合体（等分三条缝）的区别； 石墨托碗是用来盛装石英坩埚的，它的内径加工尺寸要和石英坩埚的外形尺寸相配合，同时，石墨托碗本身必须具有一定的强度，来承受硅料及坩埚的重量。硅料熔化完以后，石英坩埚的高度应该高于石墨托碗的高度（10~20mm)如果石英坩埚低于石墨托碗，容易造成掉渣影响成晶率。 托杆以及托座共同组成了托碗的支撑体，要求和下轴结合牢固，对中性良好，在下轴转动时，托杆及托座偏摆度0.5mm，托座可以用一个或者两个以上的部件组成，部件数的增减可以调节托碗支撑体的高度，以保证熔料时有合适的低埚位，拉晶时，有足够的埚升随动行程， 保温罩由保温罩内筒、外筒、面板及支撑环（托盘）组成，内、外筒之间整齐的包裹着石墨毡。托盘放置应平稳，不得径向窜动，也不得转动，同时保证保温罩内壁、外壁垂直并队中。 保温盖一般由两层环状石墨板之间夹一层石墨毡组成，内径的大小与加热器内径相同，平稳的放在保温罩面板上。 下保温筒，下保温谈毡组成了托碗的底部保温系统，他的作用是加强埚底保温，提高埚底温度，减少热量散失。为了防止埚漏，硅料渗出烧坏部件，对埚底、金属电极、抽气口以及托杆都设置了保护套。 石墨电极的作用，一是平稳地支撑加热器，二是通过它对加热器加热，因此要求电极厚重，结实耐用，它与金属电极和加热器的接触面要平滑、平稳，保证接触良好，通电时不打火。 加热器、电极、托碗要求用细结构石墨加工，为了降低成本，其他部件也可用粗结构高纯石墨。结构疏松气孔多的不能用。 现在出现了一种新型保温材料，称为碳/碳复合材料，可以根据用户需要加工成型保温桶，从而代替石墨毡，保温性能好，耐高温，不产生纤维、强度大、重量轻，安装方便。 热场有大有小，它是按照所用的石英坩埚的直径大小来划分的，目前国内系统从~居多。 3.2热系统的安装与对中 热系统，特别是新系统在安装前，应仔细擦抹干净，去除表面浮尘，顺便检查部件质量，整个炉室在进行热系统安装前也要清擦完毕。安装顺序一般是由下