实验一__MOSFET特性与驱动电路研究.docx

实验一 MOSFET特性与驱动电路研究 一．实验目的 1．熟悉MOSFET的开关特性。 2．掌握MOSFET缓冲电路的工作原理与参数设计要求。 3．掌握MOSFET对驱动电路的要求。 4．熟悉MOSFET主要参数的测量方法。 二．实验内容 1．MOSFET的特性与驱动电路研究。 三．实验设备和仪器 1．NMCL-07C、NMCL-22电力电子实验箱 2．双踪示波器 3．万用表（自备） 4．教学实验台主控制屏 四．实验方法 1．MOSFET主要参数测试 (1) 开启阈值电压VGS(th)测试 开启阈值电压简称开启电压，是指器件流过一定量的漏极电流时(通常取漏极电流ID=1mA)的最小栅源电压。 断开NMCL-07中的电源（开关S），主回路的“1”端与MOS管的“D”端之间串入直流毫安表，测量漏极电流ID，将主控制屏NMCL-31的正给定Ug和“地”分别与MOS管的“G”与“S”端相连，NMCL-31的“地”与NMCL-07中的“3”共地，再在“G”与“S”端间接入电压表，测量MOS管的栅源电压Vgs，并将Ug电位器RP左旋到底，使Vgs=0。 将电位器RP逐渐向右旋转，边旋转边监视毫安表的读数，当漏极电流ID=1mA时的栅源电压值即为开启阈值电压VGS(th)。 适当选择、读取7组ID、Vgs，其中ID=1mA必测，填入表2-1。 表2-1 ID(mA) 0.1 0.4 0.7 1