北京航空航天大学《电子电路i》第一章[1.4fetzq]v2012.pptVIP

北京航空航天大学202教研室 内容组织 N沟道JFET，VDS对沟道影响 VDS=0，VGS增加时，沟道变化； VGS=0，VDS增加时，沟道变化； 内容组织 vGS的控制作用-栅源对沟道的影响演示 vDS的控制作用（漏源对沟道的影响演示） 场效应管（FET）小结 特点： 电场控制电流-输入电阻高 仅多子导电-温度稳定性好 类型： 结型：JFET N沟道、P沟道 绝缘栅型MOSFET ：N沟道D/E；P沟道D/E; 原理： JFET利用PN结反向电压控制耗尽层厚度，改变沟道宽窄，控制漏极电流； MOSFET利用栅源电压改变表面感生电荷，控制漏极电流。 随堂小测试（5min） 画出JFET的低频小信号模型？等效参数？ MOS管小信号等效电路？等效参数？ E型NMOS管的输出特性曲线： I区－线性区II区－饱和区(恒流区)III区－截止区 IV区－击穿区 保持vGS为不同固定值时，得到iD随vDS变化的一族曲线 P50页(表1)： E型NMOS输出特性 耗尽型NMOS管和增强型PMOS管工作原理 D型NMOSFET工作原理 D型NMOS管和E型NMOS管结构基本相同，区别仅在于导电沟道事先存在，在vGS=0的时候，iD也不等于0。当vGS=VGS(off)时，导电沟道消失，iD=0。 vGS=0时iD0 E型 vGS +4 结论：①D型-平移关系-E型。转移曲线右移、输出曲线下移。②N、P沟道均一样！ （见课本表1。） E型PMOSFET工作原理 E型PMOS管和NMOS管的vGS和vDS电压极性相反，iD方向也相反。输出特性曲线的形状相似 输出特性曲线处于第三象限 E型NMOS N、P原点对称！ D型NMOS D、E平移！ 总结：①D型-平移关系-E型。②N、P沟道原点对称。(见表1) 思考题：画出D型PMOS的转移曲线和输出曲线！ 1.4.3 MOS管的伏安特性曲线和大信号特性方程 一、一阶V/I特性（以 E型NMOSFET为例） (2) 线性区 条件：vGS≥VTH, 0≤ vDS≤ (vGS-VTH) 电流方程： 式中：βn是管子的增益系数，单位为mA/V2 式中：μn是NMOS管沟道中电子的迁移率；Cox是氧化层单位面积电容量；W/L 是沟道宽度与长度之比 （式1.4.2） P35 (1) 截止区 条件：vGSVTH vDS很小时（例如vDS0.1V），可简化为： 可见，vDS一定时，iD和vGS成线性关系。 这些特性曲线都近似为直线，直线的斜率由vGS控制 3. 饱和区（恒流区） 条件：vGS≥VTH, vDS≥ (vGS- VTH) 可见iD和vGS成平方率关系。 （式 1.4.9） 参见 P37 图 1.4.16 中相应虚线。 4. 击穿区 E型NMOS输出特性 E型PMOSFET的一阶V/I特性 (2) 线性区 条件：|vGS|≥|VTH|, 0≤|vDS|≤|vGS|-|VTH| 式中：μp是PMOS管沟道中空穴的迁移率；Cox是氧化层单位面积电容量；W/L 是沟道宽度与长度之比 （式1.4.11） （式1.4.12） (1) 截止区 条件：|vGS||VTH| (2) 饱和区 条件：|vGS|≥|VTH|, |vDS|≥|vGS|-|VTH| 与和JFET相同的是，IDSS和VGS(off)是描述它们特性的重要参数。JFET和D型NMOS管都是耗尽型，故用相同的符号VGS(off)表示夹断电压。增强型管用VGS(th)表示开启电压。 D型NMOSFET D型PMOSFET 四种 MOS的关系：曲线关系！ E型PMOS。输出特性曲线处于第三象限 E型NMOS N、P原点对称！ D型NMOS D、E平移！ 思考题：四种MOS管的表达式有何关系？ 课后整理成表格形式！ 二、二阶效应 在vBS≠0的情况下，vBS对导电沟道也有一定的控制能力，这种现象称为体效应或衬底调制效应。 vBS通过改变VGS(th)的值改变iD的值，因而vBS对iD有控制作用，B极又称为背栅。 背栅 如：当vBS0时，加BS间反偏电压，使PN结耗尽区扩展增厚，使得VGS(th)的值增加。 1. 背栅控制特性 2. 沟道长度调制效应 饱和区（恒流区） iD随vDS增加而稍有斜升 （式 1.4.19） P40 式中：λ是沟道调制系数，典型值为 0.01V-1 条件：vGS≥VTH, vDS≥ (vGS- VTH) 1.4.4a FET 的小信号模型 JFET的小信号模型 (补充) 小信号条件：Vgsm≤0.1VGS(off) 式中：gm是JFET在小信号下工作在放大区时的正向传输跨导。